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一种具有非线性栅极氧化物半导体边界布局的沟槽晶体管及其制造方法。沟槽晶体管包括栅极区；与栅极区相邻的氧化物区；与氧化物区相邻的半导体区。半导体区包括沿着栅极氧化物半导体边界的沟道体区。沟道体区被配置为当晶体管导通时沿着栅极氧化物半导体边界传...
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