用于制造生长衬底的方法技术

用于制造生长衬底(20)的方法。在该方法方法中，该生长衬底适于通过外延产生基于InGaN的二极管(D1、D2、D3)的矩阵，该方法包括以下步骤：从导电缓冲层(11)制造晶体堆叠(10)，该晶体堆叠(10)包括：基于掺杂GaN的下层(12)；然后是基于InGaN的分离中间层(13)；然后是基于AlGaN的上层(14)；通过晶体堆叠(10)的局部蚀刻产生三个类别M1、M2、M3的台面；通过蚀刻去除至少台面M3的上部部分(24)，保留台面M1的上部部分(24)；然后，对仅台面M1和台面M3的下部部分(22)进行非光辅助电化学多孔化，台面M2的下部部分(22)未被多孔化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域是用于制造包括台面的生长衬底的方法，以及用于产生适于自然发射或检测各种波长的光辐射的二极管的矩阵的方法。

技术介绍

1、存在用于制造适于自然发射各种波长的光辐射的发光二极管的矩阵的方法。于是，二极管矩阵可以包括适于发射红光的二极管、适于发射绿光的其他二极管以及适于发射蓝光的其他二极管。这样的二极管矩阵然后形成具有自然rgb(代表红色、绿色、蓝色)发射的微屏幕。

2、说这些二极管具有自然发射，因为以给定波长发射的每个二极管的有源区不同于以另一个波长发射的二极管的有源区。在基于ingan制造的二极管的情况下，有源区通过量子阱中铟的比例而彼此不同。

3、因此，这样的自然发射二极管的矩阵因此与颜色转换技术大为不同，在颜色转换技术中，二极管都以相同的波长发射，例如以蓝色发射，并且各自都覆盖有包括发光体(例如形成量子盒的半导体纳米晶体)的垫，以至少部分地将入射光转换成具有另一个波长的光。

4、为了制造自然发射二极管的矩阵，一种途径在于使用具有在电化学多孔化步骤期间已经部分地制成多孔的台面的生长衬底。这种电化学多孔化技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.用于制造生长衬底(20)的方法，所述生长衬底(20)适于通过外延产生基于InGaN的二极管(D1、D2、D3)的矩阵，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除步骤通过光电化学蚀刻至少所述台面M3的所述分离中间部分(23)来执行，所述台面Ml由封装层(4)来覆盖。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除步骤通过干法蚀刻至少所述台面M3的所述上部部分(24)来执行，其中，蚀刻在所述分离中间部分(23)上停止，所述台面Ml由蚀刻掩模(7)来覆盖。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在产生所述台面的步骤之后，在每个台...

【技术特征摘要】

1.用于制造生长衬底(20)的方法，所述生长衬底(20)适于通过外延产生基于ingan的二极管(d1、d2、d3)的矩阵，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除步骤通过光电化学蚀刻至少所述台面m3的所述分离中间部分(23)来执行，所述台面ml由封装层(4)来覆盖。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除步骤通过干法蚀刻至少所述台面m3的所述上部部分(24)来执行，其中，蚀刻在所述分离中间部分(23)上停止，所述台面ml由蚀刻掩模(7)来覆盖。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在产生所述台面的步骤之后，在每个台面中，所述分离中间部分(23)在所述下部部分(22)上并与所述下部部分(22)接触，所述方法包括在电化学多孔化步骤之后进行的产生基于ingan而产生的外延再生长部分(27)的步骤，所述外延再生长部分(27)搁置在所述台面ml中的所述上部部分(24)上并搁置在所述台面m3中的所述下部部分(22)上。

5.根据权利要求4所述的制造方法，所述制造方法包括：在去除步骤和多孔化步骤之后且在产生所述外延再生长部分(27)的步骤之前产生密封部分(26)的步骤，所述密封部分(26)至少沉积在所述台面m3的所述下部部分(22)上并与所述台面m3的所述下部部分(22)接触，然后被多孔化。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在产生所述晶体堆叠(10)的步骤期间，外延再生长层(15)位于所述下层(12)上并与所述下层(12)接触，使得在去除步骤和多孔化步骤之后，所述台面m3具有由来自所述外延再生长层(15)的外延再生长部分(25)形成的上面。

【专利技术属性】
技术研发人员：F·罗尔，A·杜塞涅，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：

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