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用于制造生长衬底(20)的方法。在该方法方法中，该生长衬底适于通过外延产生基于InGaN的二极管(D1、D2、D3)的矩阵，该方法包括以下步骤：从导电缓冲层(11)制造晶体堆叠(10)，该晶体堆叠(10)包括：基于掺杂GaN的下层(12)；...
该专利属于法国原子能源和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能源和替代能源委员会授权不得商用。

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