一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件制造技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，创造性的提出双层埋式氧化物隔离层设计，将SCR主触发路径通路设置于深层的第一埋氧化层上，将辅助触发路径设置于表面的第二埋氧化层上，通过堆叠结构有效避免辅助触发路径造成的面积浪费，有效提高单位面积ESD能力；同时，深层设置的SCR主触发路径的泄放路径更深，电流往更低处走，能够显著提升器件的鲁棒性；并且，堆叠结构中辅助触发器件能够进行替换，有利于适用不同的应用场景；综上，本发明专利技术在不消耗额外面积的前提下通过堆叠结构对SCR器件进行辅助路径的优化设计，显著提高器件的单位面积ESD能力，并拥有更加良好的热效应以及鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及静电释放(esd：electro-static discharge)保护器件的设计，尤其涉及基于绝缘体硅工艺下开发的scr改进型esd器件，具体提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发scr器件。

技术介绍

1、静电放电(electro-static discharge，简称esd)现象是指具有不同电势的物体相互靠近或接触时发生的电荷转移现象，由于放电时间极短，放电过程中会产生很大的电流；对于集成电路而言，现代ic更容易受到静电放电(esd)引起的损坏，这种大电流会损伤甚至烧毁内部器件，导致芯片失效；芯片生产运输使用的各个环节都有可能出现静电放电现象，因此，芯片的esd防护措施对于其可靠性是不可或缺的。在大功率高压集成电路领域，由于其应用条件恶劣更容易遭受esd，所以esd防护对高压大功率集成电路的可靠性至关重要。

2、对比于传统互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，cmos)工艺，绝缘体上硅(soi)技术在寄生电容、漏电流、闩锁等性能有着较高的优势，因此可以在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，其特征在于，多个辅助触发器件通过金属互联线依次串联，串联后一端通过金属互联线连接第二N型重掺杂有源区(202)、另一端通过金属互联线引出作为阴极；第一P型重掺杂有源区(102)通过金属互联线引出并作为阳极，第二P型重掺杂有源区(103)与第三N型重掺杂有源区(203)通过金属互联线连接阴极。

3.根据权利要求1所述基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，其特征在于，多个辅助触发器件通过金属互联线依次串联，串联后一端通过金属互联线引出作为...

【技术特征摘要】

1.一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发scr器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述基于双绝缘体硅技术的辅助触发scr器件，其特征在于，多个辅助触发器件通过金属互联线依次串联，串联后一端通过金属互联线连接第二n型重掺杂有源区(202)、另一端通过金属互联线引出作为阴极；第一p型重掺杂有源区(102)通过金属互联线引出并作为阳极，第二p型重掺杂有源区(103)与第三n型重掺杂有源区(203)通过金属互联线连接阴极。

3.根据权利要求1所述基于双绝缘体硅技术的辅助触发scr器件，其特征在于，多个辅助触发器件通过金属互联线依次串联，串联后一端通过金属互联线引出作为阳极、另一端通过金属互联线连接第二p型重掺杂有源区(103)；第一p型重掺杂有源区(102)与第二n型重掺杂有源区(202)通过金属互联线连接阳极，第三n型重掺杂有源区(203)通过金属互联线引出并作为阴极。

4.根据权利要求1所述基于双绝缘体硅技术的辅助触发scr器件，其特征在于，第一n阱区(220)还设置有第一n型重掺杂有源区(201)；多个辅助触发器件通过金属互联线依次串联，串联后一端通过金属互联线连接第二n型重掺杂有源区(202)、另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志伟，刘毅，郑子涵，张慧，何志远，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：