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本发明属于半导体技术领域，提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，创造性的提出双层埋式氧化物隔离层设计，将SCR主触发路径通路设置于深层的第一埋氧化层上，将辅助触发路径设置于表面的第二埋氧化层上，通过堆叠结构有效避免辅助触发路径造成...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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