FLASH模拟EEPROM的数据存储方法技术

本发明专利技术公开一种FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，在FLASH存储器内配置数据存储区和修订记录区，对所述数据存储区和修订记录区执行以下操作：将新数据直接保存至所述数据存储区中未含有数据的存储地址中；及，将要修订的数据及对应存储地址存储至所述修订记录区，当所述修订记录区的修订记录达到预设整理前提条件时，执行修订记录整理操作并将修订记录统一更新至所述数据存储区中。本发明专利技术的有益效果在于：模拟真实的EEPROM读写操作，支持大量离散数据随机地址读写与连续地址读写，且容量可扩充或压缩。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于嵌入式系统数据储存，具体涉及掉电不丢失的数据储存技术。

技术介绍

1、嵌入式系统大多需要储存一些掉电不丢失的数据，传统做法是使用外加的eeprom，通过spi或i2c等通信接口与eeprom通信来保存数据，此方法会额外增加成本，占用pcb面积，占用主控io做通信。

2、另外，现有嵌入式芯片的存储介质大多为flash存储器，此类存储介质的特性是数据掉电不丢失，支持随机地址读写。但是，单次读写的位宽有限制(如32bit或128bit或其他)；而且需要先擦除再写入，且擦除需要按页擦除(如512字节或其他)，擦除后每个位只允许写一遍(指只能将1写成0或将0写成1，不能逆序)；同时，flash的擦写寿命一般比eeprom少。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种flash模拟eeprom的数据存储方法，兼顾容量与读写性能；本专利技术通过下述技术方案来实现。

2、一种flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，包括：

3、在flash存储器内配置数据存储区和修订本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，所述数据存储区是将所述FLASH存储器的s个连续或不连续的Flash物理页组成一个模拟EEPROM逻辑表，s≥1；所述模拟EEPROM逻辑表被分割为d个存储单元，d≥1，每个存储单元分配一个与FLASH物理地址对应的所述存储地址。

3.根据权利要求2所述的FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，所述修订记录区是将所述FLASH存储器的m个Flash物理页组成一个逻辑的整体，m≥3，再将其中一个页面作为备份...

【技术特征摘要】

1.一种flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，所述数据存储区是将所述flash存储器的s个连续或不连续的flash物理页组成一个模拟eeprom逻辑表，s≥1；所述模拟eeprom逻辑表被分割为d个存储单元，d≥1，每个存储单元分配一个与flash物理地址对应的所述存储地址。

3.根据权利要求2所述的flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，所述修订记录区是将所述flash存储器的m个flash物理页组成一个逻辑的整体，m≥3，再将其中一个页面作为备份页，另外m-1个页面作为记录表；所述记录表包括若干修订记录项，修订记录项包含要修订的数据及对应存储地址。

4.根据权利要求3所述的flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，所述将要修订的数据及对应存储地址写入所述修订记录区时，先通过一个ram提供的缓存栈暂存所述要修订的数据及对应存储地址。

5.根据权利要求4所述的flash模拟eeprom的数据存储方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈康超，李晨晖，
申请(专利权)人：南宁泰创芯科智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：