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本发明公开一种FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，在FLASH存储器内配置数据存储区和修订记录区，对所述数据存储区和修订记录区执行以下操作：将新数据直接保存至所述数据存储区中未含有数据的存储地址中；及，将要修订的数据及对应存储地址存储...
该专利属于南宁泰创芯科智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南宁泰创芯科智能科技有限公司授权不得商用。

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