半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备技术

本申请实施例提供一种半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高高功率半导体器件的总输出功率。半导体结构包括多个半导体组，每个半导体组包括多个源极、多个漏极和多个栅极、漏极焊盘、栅极焊盘以及设置在每个源极下方的至少一个背孔。其中，漏极焊盘和栅极焊盘上均设置有多个键合点。多个源极、多个漏极和多个栅极均位于漏极焊盘和栅极焊盘之间，多个漏极与漏极焊盘耦接，多个栅极与栅极焊盘耦接。在第一方向上，源极、漏极和栅极交替排布，栅极位于源极和漏极之间。漏极焊盘和栅极焊盘均沿第二方向延伸，第一方向为从漏极焊盘到栅极焊盘的方向，第一方向与第二方向相交。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：马平，李海军，仲正，乐伶聪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：