【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，尤其涉及一种收发射频前端芯片和收发全集成芯片阵列。
技术介绍
1、毫米波一般在30-300ghz之间，波长位于1到10毫米，其拥有大带宽频谱资源，具有实现高速率通信和高精度感知等天然优势，可支撑长距离、中等距离以及短距离等多种无线场景，可满足用户以及新兴应用的各种需求。传统硅基毫米波相控阵芯片采用模拟移相方式进行相位调整，存在精度差和结构复杂的问题，为了解决这些问题，硅基毫米波数字相控阵列技术应运而生，其能够适应未来通信系统对带宽、时延和连接数等多方面需求，为构建智能化、高速、高可靠无线通信网络提供关键技术支持。
2、毫米波频段处于电磁频谱高频段，其波长短，信号传输易受大气吸收、散射等影响，因此，硅基毫米波数字化多波束相控阵芯片需解决高频电路设计难题，以应对信号传输损耗、相位控制精度等方面挑战。目前，硅基毫米波数字化多波束相控阵芯片在芯片面积、芯片天线封装时产生的高成本和大规模多通道集成时造成的高直流功耗等方面仍存在一系列问题，需要在实现高性能的同时优化功耗和尺寸，以满足现代电子设备对小型化和低功
【技术保护点】
1.一种收发射频前端芯片，其特征在于，所述收发射频前端芯片包括射频芯片和数字芯片；
2.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述射频芯片以及所述数字芯片分别倒装于多层介质板的两侧，所述射频芯片和所述数字芯片分别通过球栅阵列封装连接到所述多层介质板。
3.根据权利要求2所述所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述射频芯片的背面连接至少阈值厚度的石英覆盖物。
4.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述第一射频发射链路和所述第二射频发射链路的所述发射信号具有180度相位差，所述收发共用天线对同时接收到所述第一射频发...
【技术特征摘要】
1.一种收发射频前端芯片，其特征在于，所述收发射频前端芯片包括射频芯片和数字芯片；
2.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述射频芯片以及所述数字芯片分别倒装于多层介质板的两侧，所述射频芯片和所述数字芯片分别通过球栅阵列封装连接到所述多层介质板。
3.根据权利要求2所述所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述射频芯片的背面连接至少阈值厚度的石英覆盖物。
4.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述第一射频发射链路和所述第二射频发射链路的所述发射信号具有180度相位差，所述收发共用天线对同时接收到所述第一射频发射链路以及所述第二射频发射链路的所述发射信号进行功率合成。
5.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述收发共用天线包括至少两个输入端口，所述至少两个输入端口接收所述第一射频发射链路以及所述第二射频发射链路差分输入的所述发射信号。
6.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述射频芯片中第一射频发射链路的第一射频芯片和所述第二射频发射链路的第二射频芯片之间满足阈值间隔排列，其中，所述阈值间隔大于或等于半波长的距离。
7.根据权利要求1所述收发射频前端芯片，其特征在于，所述第一射频发射链路和所述第二射频发射链路内分别包括倍频器和功率放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡三明，杨佳伟，沈一竹，郭嘉诚，
申请(专利权)人：紫金山实验室，
类型：发明
国别省市：
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