形成外延层的方法技术

公开了在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法和半导体处理设备。目前描述的形成含Si外延层的方法的实施例包括执行沉积过程，用于相对于不同于第一暴露单晶表面的第二暴露单晶表面，选择性地在第一暴露单晶表面上形成含Si外延层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及形成外延层的方法和用于在衬底上形成外延层的衬底处理设备。更具体地，本公开涉及用于在衬底上选择性地形成含si外延层的方法和衬底处理设备。

技术介绍

1、外延可被认为是半导体制造中在衬底上形成膜层的关键过程之一。这可能是因为它允许在衬底上生长高质量的晶体膜。

2、随着半导体工业规模的不断扩大，外延和外延膜生长领域的过程改进可能变得更加苛刻，同时带来了新的挑战。这可能是由于引入了新的集成方案，该方案依赖于具有降低的过程热预算的选择性外延生长。

3、因此，可能需要提供能够在衬底上选择性地实现外延膜的方法。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

2、本公开的目的是能够在衬底上选择性地生长外延膜。

3、在第一方面，本专利技术涉及一种在衬底上选择性地形成含si外延层的方法。该本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷是SiHnX3-n-(SiH2)p-SiHmX3-m，其中n和m独立地选自值为至少1到至多3的整数，并且其中p是至少1到至多3的整数，并且其中X是卤素。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，p等于1。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，X是Cl。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷前体是氯丙硅烷。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷前体是1-氯丙硅烷或1,3-二氯丙硅烷。...

【技术特征摘要】

1.一种在衬底上选择性地形成含si外延层的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷是sihnx3-n-(sih2)p-sihmx3-m，其中n和m独立地选自值为至少1到至多3的整数，并且其中p是至少1到至多3的整数，并且其中x是卤素。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，p等于1。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，x是cl。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷前体是氯丙硅烷。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其中，所述卤代聚硅烷前体是1-氯丙硅烷或1,3-二氯丙硅烷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一暴露表面由si{100}晶体刻面构成，所述第二暴露表面由高阶硅晶体刻面构成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述高阶硅晶体刻面是si{110}晶体刻面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行沉积过程期间，所述处理室的温度低于450℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积过程是包括一个或多个沉积循环的循环沉积过程，其中每个沉积循环还包括向所述处理室提供蚀刻气体，从而从所述第二暴露表面去除所述含si外延层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻气体包括cl2气体，并且在载气的存在下被提供到所述处理室中，其中cl2气体的流量在10s...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·卡扎卡，P·罗梅罗，M·E·吉文斯，C·德泽拉，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：