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公开了在衬底上选择性地形成含Si外延层的方法和半导体处理设备。目前描述的形成含Si外延层的方法的实施例包括执行沉积过程，用于相对于不同于第一暴露单晶表面的第二暴露单晶表面，选择性地在第一暴露单晶表面上形成含Si外延层。...
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