【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅，尤其是涉及一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法。
技术介绍
1、多晶硅还原炉的底盘通常采用耐高温、耐腐蚀且机械强度高的材质制造，由于还原炉内部环境温度极高且有化学反应发生，因此对于材质的要求较为苛刻。根据已有的信息，炉体主体部分一般会采用不锈钢材质，这是因为不锈钢不仅能够承受高温，而且能较好地减少对产品(多晶硅)的污染风险。
2、底盘作为还原炉的关键部件之一，考虑到其直接接触高温及可能受到化学物质侵蚀，很可能也会采用类似不锈钢或其他特种合金材料来保证其在高温下的结构稳定性以及抗腐蚀性。此外，为了增强冷却效果和热效率，底盘还可能设计成双层结构，并包含冷却水循环系统，内外层之间可能会填充绝热材料，但具体的底盘材质选择还需结合实际生产工艺和设计需求来确定。
3、在电子级多晶硅还原系统生产过程中，物料在还原炉内的硅芯载体上得以沉积，沉积的副产物可能包括硅化合物、石墨颗粒以及其他在高温反应条件下形成的杂质，它们需要在每个生产周期结束后的清理维护阶段进行去除。
4、目前针对还原炉底盘上残留的...
【技术保护点】
1.一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，朝向所述封闭空间内通入所述第一干燥气体之后还包括：朝向所述封闭空间通入酸性溶剂，以使清理后的所述待清洁表面形成保护膜；
3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，使得所述第三清洗溶剂对所述保护膜的表面清洗第五预设时间之后还包括：
4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，通过PH试纸检测所述封闭空间的出液口处的所述第三清洗溶剂的PH值之后还包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，朝向所述封闭空间内通入所述第一干燥气体之后还包括：朝向所述封闭空间通入酸性溶剂，以使清理后的所述待清洁表面形成保护膜；
3.根据权利要求2所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，使得所述第三清洗溶剂对所述保护膜的表面清洗第五预设时间之后还包括：
4.根据权利要求3所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，通过ph试纸检测所述封闭空间的出液口处的所述第三清洗溶剂的ph值之后还包括：
5.根据权利要求1所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，其特征在于，所述清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质包括：
6.根据权利要求5所述的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁...
【专利技术属性】
技术研发人员：温永偲，吴鹏，姜浩，单顺林，高国翔，
申请(专利权)人：内蒙古鑫华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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