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本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，包括底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清，底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质；底盘腐蚀钝化包括：通过密封结构与底盘构造出封闭空间，以使待清洁表面位于封闭空间内；对封闭空间内的待清洁表面...
该专利属于内蒙古鑫华半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过内蒙古鑫华半导体科技有限公司授权不得商用。

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