【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体的，涉及硅芯及其制备方法。
技术介绍
1、在全球主流改良西门子法制备电子级多晶硅的核心工艺环节，需要使用到一种本征硅芯作为化学气相沉积的籽晶使用，几何完美和电学性能稳定的本征硅芯是影响高压启动环节和气相反应物气流提升初期运行成功的极其重要因素。
2、目前，国内外电子级多晶硅企业常使用等径硅芯，等径硅芯直接磨锥后(如图1所示，硅芯包括等径区01和圆锥区02)与石墨夹头直接贴合，导电锥面较小，实际电流流通面积较小，易导致多晶硅化学气相沉积初期硅芯的根部出现亮点，进而导致硅棒生长过程中倒棒；同时，在硅芯的长径比(长度/直径)＞300后，硅芯的重心投影落在硅芯投影面外，在反应炉内气流扰动的影响下，极易造成硅棒的倾倒，和/或，造成严重电气短路、反应器内壁损伤或物料损耗等不良问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种硅芯，该硅芯在高温化学气相沉积过程中其根部不易出现亮点，进而避免发生
【技术保护点】
1.一种硅芯，其特征在于，包括一体结构且依次相连的等径区、扩宽区和圆锥区，所述扩宽区的直径大于所述等径区的直径，在远离所述等径区的方向上，所述圆锥区的直径逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的硅芯，其特征在于，在化学气相沉积时，所述硅芯的重心投影点位于所述圆锥区的投影内。
3.根据权利要求1或2所述的硅芯，其特征在于，所述等径区的直径为D1，在远离所述等径区的方向上，所述扩宽区的直径由D1逐渐增大至D2，所述圆锥区的直径由D2逐渐减小至D3。
4.根据权利要求3所述的硅芯，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种硅芯，其特征在于，包括一体结构且依次相连的等径区、扩宽区和圆锥区，所述扩宽区的直径大于所述等径区的直径，在远离所述等径区的方向上，所述圆锥区的直径逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的硅芯，其特征在于，在化学气相沉积时，所述硅芯的重心投影点位于所述圆锥区的投影内。
3.根据权利要求1或2所述的硅芯，其特征在于，所述等径区的直径为d1，在远离所述等径区的方向上，所述扩宽区的直径由d1逐渐增大至d2，所述圆锥区的直径由d2逐渐减小至d3。
4.根据权利要求3所述的硅芯，其特征在于，满足以下条件中的至少之一：
5.根据权利要求4所述的硅芯，其特征在于，d1＝8...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴鹏，高国翔，田新，贾瑞钢，吴家印，
申请(专利权)人：内蒙古鑫华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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