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本发明提供了一种硅芯及其制备方法。该硅芯包括一体结构且依次相连的等径区、扩宽区和圆锥区,所述扩宽区的直径大于所述等径区的直径,在远离所述等径区的方向上,所述圆锥区的直径逐渐减小。由此,该硅芯通过设置直径相对较大的扩宽区,圆锥区的最大直径相对...该专利属于内蒙古鑫华半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过内蒙古鑫华半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种硅芯及其制备方法。该硅芯包括一体结构且依次相连的等径区、扩宽区和圆锥区,所述扩宽区的直径大于所述等径区的直径,在远离所述等径区的方向上,所述圆锥区的直径逐渐减小。由此,该硅芯通过设置直径相对较大的扩宽区,圆锥区的最大直径相对...