键合片抛光方法技术

本发明专利技术提供了一种键合片抛光方法，包括：提供键合片，键合片包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层执行研磨工艺，以使顶层硅层减薄至第一厚度，且第一厚度大于顶层硅层的目标厚度；根据研磨后的顶层硅层的厚度分布调节抛光盘的压力分布；对研磨后的顶层硅层执行若干次第一抛光工艺，以使顶层硅层减薄至第二厚度，且第二厚度大于或等于目标厚度，抛光后的顶层硅层的厚度差小于设定阈值。本发明专利技术能够提高顶层硅层的厚度均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种键合片抛光方法。

技术介绍

1、绝缘层上硅(soi,silicon on insulator)技术目前已成为多数电子材料领域的主流产品之一，随着新能源汽车的高速发展，车规级的soi材料车载芯片的集成度逐渐提高，因此市场上对于高均匀性soi的需求愈来愈高，如何进一步提高soi材料的均匀性成为当下发展的一个重要趋势。

2、soi晶圆中顶层硅层的厚度不均匀可能会导致器件性能不稳定，导致局部电子通道的电流密度不一致，热效应不均匀甚至线宽变化。化学机械抛光是soi晶圆制造过程中的主要抛光流程之一，其不仅可以进一步提高soi晶圆的均匀性，同时还能修复晶圆表面的机械损伤，得到高平整度低粗糙度的soi晶圆。化学机械抛光(cmp)是一种全局平坦化工艺，它的工作原理结合了化学腐蚀和机械研磨，抛光液先与soi晶圆的表层发生化学反应，使其钝化，然后抛光头施加压力，soi晶圆与抛光垫发生相对运动，分布在抛光垫上的研磨颗粒将钝化后的硅去除。因此，需要一种提高顶层硅层的厚度均匀性的方法。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种键合片抛光方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合片抛光方法，其特征在于，所述第一厚度大于所述目标厚度的4μm～8μm。

3.如权利要求2所述的键合片抛光方法，其特征在于，研磨后的所述顶层硅层的厚度差小于2μm。

4.如权利要求1所述的键合片抛光方法，其特征在于，研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凸形或凹形。

5.如权利要求4所述的键合片抛光方法，其特征在于，当研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凸形，调节所述抛光盘的压力分布为中心压力大于边缘压力；当研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凹形，调节所述抛光盘的压力分布为中心压力小于...

【技术特征摘要】

1.一种键合片抛光方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合片抛光方法，其特征在于，所述第一厚度大于所述目标厚度的4μm～8μm。

3.如权利要求2所述的键合片抛光方法，其特征在于，研磨后的所述顶层硅层的厚度差小于2μm。

4.如权利要求1所述的键合片抛光方法，其特征在于，研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凸形或凹形。

5.如权利要求4所述的键合片抛光方法，其特征在于，当研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凸形，调节所述抛光盘的压力分布为中心压力大于边缘压力；当研磨后的所述顶层硅层的厚度分布呈凹形，调节所述抛光盘的压力分布为中心压力小于边缘压力。

6.如权利要求5所述的键合片抛光方法，其特征在于，所述抛光盘的边缘和中心的压力差为x，所述顶层硅层的边缘和中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪子文，高巍，陈猛，魏星，李炜，
申请(专利权)人：上海新傲芯翼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：