一种半导体设备制造技术

本申请提供一种半导体设备，包括：反应腔室，反应腔室内设置有至少一层丝网，丝网具有网孔，丝网设置于反应腔室的内壁，丝网和反应腔室的内壁共形，网孔用于对反应腔室内的杂质颗粒进行吸附，网孔的尺寸大于杂质颗粒的尺寸，也就是说，反应腔室内设置有具有网孔的至少一层丝网，由于网孔的尺寸大于杂质颗粒的尺寸，因此可以通过每一层丝网中的网孔对反应腔室内的杂质颗粒进行吸附，避免反应腔室内的杂质颗粒在网孔中脱落，避免杂质颗粒影响反应腔室内的反应环境，以最终提高在半导体设备中制造得到的半导体器件的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。

技术介绍

1、随着半导体相关技术的发展，半导体器件以及芯片的制造工艺也在快速发展。在半导体器件及芯片的制造过程中，需要利用多种半导体设备。

2、半导体设备中通常会包括内衬，以便避免在半导体器件的制造过程中杂质颗粒污染半导体设备的内壁。当前的内衬的形状通常为曲面，随着制造工艺时间的增长，杂质颗粒会沉积在内衬上，杂质颗粒沉积过多后会在内衬的曲面弯折处脱落，影响半导体设备内的颗粒情况，导致制造出的半导体器件的良率降低。

3、因此，现在亟需解决的问题是如何提高半导体器件的良率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体设备，能够有效控制半导体设备内的杂质颗粒浓度，提高半导体器件的良率。

2、本申请实施例提供了一种半导体设备，包括：反应腔室，所述反应腔室内设置有至少一层丝网，所述丝网具有网孔；

3、所述丝网设置于所述反应腔室的内壁，所述丝网和所述反应腔室的内壁共形，所述网孔用于对所述反应腔室内的杂质颗粒本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室内设置有至少一层丝网，所述丝网具有网孔；

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述丝网具有多层。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐变化。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，沿着靠近所述反应腔室的内壁的方向，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐增大。

5.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，沿着靠近所述反应腔室的内壁的方向，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐减小。

6.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室内设置有至少一层丝网，所述丝网具有网孔；

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述丝网具有多层。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐变化。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，沿着靠近所述反应腔室的内壁的方向，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐增大。

5.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，沿着靠近所述反应腔室的内壁的方向，所述多层丝网中每层丝网的网孔尺寸逐渐减小。

6.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述网孔的尺寸和所述网孔的目数负相关。

7.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘帅，尹格华，贺小明，朱小庆，魏子寒，韩春林，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：