半导体封装方法、封装线路结构及半导体封装结构技术

本申请提供了一种半导体封装方法、封装线路结构及半导体封装结构，通过在载板上形成增层膜，所述增层膜包括下层膜以及位于所述下层膜上的上层膜，在所述增层膜中形成开口，所述开口包括位于所述上层膜中的上开口以及位于所述下层膜中的下开口，所述下开口与所述上开口连通，接着在所述开口中形成再布线结构。由此，通过一道成膜工艺形成的再布线结构能够同时实现竖直方向和水平方向的电性连接，简化了制造工艺，降低了制造成本。进一步的，在本申请中，可以直接对所述增层膜执行操作以在所述增层膜中形成开口，从而可以避免在其上形成光阻层以及后续的光阻层剥离，从而可以进一步简化工艺，降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体封装方法、封装线路结构及半导体封装结构。

技术介绍

1、现有技术中制作后贴片(die last)扇出封装一般有两种方案：

2、一是先在硅晶圆上制作线路，然后贴装芯片的方案。此种方案必须采用硅晶圆作为衬底进行线路制作并且需要执行等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)、反应离子腐蚀(rie)、化学机械研磨(cmp)等工序，这些工序成本均非常高，工序周期也很长。

3、二是先采用一层牺牲层，进行溅射镀以作为电镀线路的种子层，每增加一层线路都需要用到光阻和树脂层两种材料，材料成本及加工成本高；且此种方案加工线路时，精细线路的加工十分困难：线路有底部缺口，附着差，加工过程中极易掉落。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种半导体封装方法、封装线路结构及半导体封装结构，以实现降低制造成本、提升加工效率和/或提升产品质量与可靠性。

2、为此，本申请提供一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：

3、提供载板，在所述载板上形成至少一层增本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述上开口的侧面与底面的夹角小于95°。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述上层膜和所述下层膜均为光敏感型，并且所述上层膜和所述下层膜对不同波段的光波敏感，所述在所述增层膜中形成开口的步骤包括：对所述上层膜执行第一曝光工艺以在所述上层膜中形成所述上开口；以及，对所述下层膜执行第二曝光工艺以在所述下层膜中形成所述下开口；

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述载板上形成所述增层膜之前，所述半导体封装方法还包...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述上开口的侧面与底面的夹角小于95°。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述上层膜和所述下层膜均为光敏感型，并且所述上层膜和所述下层膜对不同波段的光波敏感，所述在所述增层膜中形成开口的步骤包括：对所述上层膜执行第一曝光工艺以在所述上层膜中形成所述上开口；以及，对所述下层膜执行第二曝光工艺以在所述下层膜中形成所述下开口；

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述载板上形成所述增层膜之前，所述半导体封装方法还包括：在所述载板上形成金属层，其中，所述增层膜位于所述金属层上。

5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述在所述开口中形成再布线结构的步骤包括：

6.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：在顶层的所述增层膜上形成第一介电层，所述第一介电层暴露出顶层的部分所述再布线结构。

7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法还包括：

8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文武，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：