一种晶圆环切加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体地说是一种晶圆环切加工方法。一种晶圆环切加工方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，提供晶圆，晶圆边缘设有高低差区域，晶圆表面设有多条纵向切割道和多条横向切割道；S2，在晶圆表面贴附一层研磨胶膜；S3，对晶圆背面进行预研磨；S4，将晶圆背面朝上，贴有研磨胶膜的正面吸附在隐形激光切割机的工作台面；S5，通过隐形激光切割机对晶圆高低差区域处存在高低差的位置进行环形切割加工；S6，隐形激光切割机沿着晶圆的横向切割道、纵向切割道进行切割。同现有技术相比，在晶圆切割工艺的基础上增加了环切工艺，释放了晶圆的应力，在最终研磨时不会造成边缘裂纹和背面发黑的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地说是一种晶圆环切加工方法。

技术介绍

1、目前在对晶圆进行切割加工时，先在晶圆的正面贴附研磨胶膜层，对晶圆进行预研磨，用隐形激光切割的方式，沿着芯片间的横向和纵向切割道进行切割，再将晶圆研磨到目标的最终厚度，实现晶圆上芯片的分开。

2、但是如图1所示，部分晶圆的边缘存在具有高低差的区域，通过上述切割方法对边缘有高低差的晶圆加工时，在研磨完成后会出现边缘裂纹、背面发黑等问题，影响到晶圆研磨减薄的良率。

技术实现思路

1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种晶圆环切加工方法。

2、为实现上述目的，设计一种晶圆环切加工方法，其特征在于：包括如下步骤：

3、s1，提供晶圆，晶圆边缘设有高低差区域，晶圆表面设有多条纵向切割道和多条横向切割道；

4、s2，在晶圆表面贴附一层研磨胶膜；

5、s3，对晶圆背面进行预研磨；

6、s4，将晶圆背面朝上，贴有研磨胶膜的正面吸附在隐形激光切割机的工作台面；>

7、s5，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆环切加工方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤S5中，同一晶圆（1）上切割的n圈直径需保持一致。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤S5环形切割完成后，加工位置的晶圆（1）内部产生若干变质层（4），并且变质层（4）一侧产生在切割缝隙（5），切割缝隙（5）延伸至晶圆（1）正面或晶圆（1）背面。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤S3中，对晶圆（1）背面的含硅氧化层进行研磨去除。

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆环切加工方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤s5中，同一晶圆（1）上切割的n圈直径需保持一致。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤s5环形切割完成后，加工位置的晶圆（1）内部产生若干变质层（4），并且变质层（4）一侧产生在切割缝隙（5），切割缝隙（5）延伸至晶圆（1）正面或晶圆（1）背面。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆环切加工方法，其特征在于：所述的步骤s3中，对晶圆（1）背面的含硅氧化层进行研磨去除。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆环...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈恒熙，冯晶瑶，邵滋人，蒋以青，童璐晟，李荣，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：