【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，更具体涉及一种石英盖板拆装工装及拆装方法。
技术介绍
1、在超大规模集成电路(ulsi)cmos制造中，通常通过减小栅极长度以及栅极电介质厚度来提高晶体管的电学性能，采用较薄的栅极电介质以及较小的栅极长度对短沟道效应(例如，阈值电压滚降)进行改善。目前，去耦等离子体氮化(decoupled plasmanitridation，缩写dpn)工艺形成的氮氧化物已被开发用于先进的cmos栅极工艺制程。在dpn工艺中，通过低能量脉冲氮气等离子体注入到氧化硅电介质，以在氮氧化物/氮化物界面处产生所需的高氮浓度，在栅极堆栈的硅/氮氧氧化物界面产生低浓度氮气，以保持高沟道迁移率，同时实现减少栅极泄漏和提高阈值电压性能。上述工艺过程主要是在dpn工艺腔体里面完成，dpn工艺腔体会将通入腔体的氮气等离子体化，然后按照不同浓度注入到不同界面里，达到减小栅极厚度以及提高栅极电学性能的目的。
2、dpn工艺腔体包括用于提供反应空间的工艺腔体主体，工艺腔体主体上方盖设有石英盖板，石英盖板上方是产生射频的线圈。石英盖板的功能：...
【技术保护点】
1.一种石英盖板拆装工装，其特征在于，其应用于等离子掺氮工艺腔体顶部的上盖组件的拆装，所述上盖组件包括铝环座和可拆卸地安装于所述铝环座内环的石英盖板，所述石英盖板的中心位置设有中心通孔；
2.根据权利要求1所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述固定座与所述石英盖板相间隔设置。
3.根据权利要求2所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述导向柱的轴向长度大于所述中心通孔的深度，且所述导向柱的上表面与所述固定座的下表面抵接。
4.根据权利要求1所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述紧固件包括螺母，所述连接件包括螺栓，所述螺母设置在所述...
【技术特征摘要】
1.一种石英盖板拆装工装，其特征在于，其应用于等离子掺氮工艺腔体顶部的上盖组件的拆装，所述上盖组件包括铝环座和可拆卸地安装于所述铝环座内环的石英盖板，所述石英盖板的中心位置设有中心通孔；
2.根据权利要求1所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述固定座与所述石英盖板相间隔设置。
3.根据权利要求2所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述导向柱的轴向长度大于所述中心通孔的深度，且所述导向柱的上表面与所述固定座的下表面抵接。
4.根据权利要求1所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述紧固件包括螺母，所述连接件包括螺栓，所述螺母设置在所述固定座上，所述螺栓的螺杆穿过所述导向柱与所述螺母螺纹连接。
5.根据权利要求4所述的石英盖板拆装工装，其特征在于，所述导向柱中心沿轴向设有穿设孔，所述固定座中心设有相互连通的第一轴向通孔、第二轴向通孔、第三轴向通孔和第一径向通孔，所述第一轴向通孔的内径小于第二轴向通孔的内径，所述第二轴向通孔的内径小于所述第三轴向通孔的内径，所述第一径向通孔与所述第三轴向通孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永康，许存娥，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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