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本发明涉及半导体技术领域,具体地说是一种晶圆环切加工方法。一种晶圆环切加工方法,其特征在于:包括如下步骤:S1,提供晶圆,晶圆边缘设有高低差区域,晶圆表面设有多条纵向切割道和多条横向切割道;S2,在晶圆表面贴附一层研磨胶膜;S3,对晶圆背面...该专利属于宏茂微电子(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宏茂微电子(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体技术领域,具体地说是一种晶圆环切加工方法。一种晶圆环切加工方法,其特征在于:包括如下步骤:S1,提供晶圆,晶圆边缘设有高低差区域,晶圆表面设有多条纵向切割道和多条横向切割道;S2,在晶圆表面贴附一层研磨胶膜;S3,对晶圆背面...