【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【】本专利技术系有关于可被使用于处理太阳能电池基体的一种方法以及一种湿式工作台。
技术介绍
0、
技术介绍
1、太阳能电池被使用以使用光伏打效应来将光直接地转换成为电能。为了这个目的，一个太阳能电池具有一个带有一个半导体基体以及被布置在该半导体基体上的接触结构之太阳能电池基体。
2、为了以尽可能最低的成本来制造具有尽可能最高的效率之太阳能电池，各式各样的处理方法已被开发。在这些处理方法的一者之中，钝化接触被形成在该半导体基体的表面之上。一种被装备以这样的钝化接触之太阳能电池概念亦被称之为穿隧氧化钝化接触太阳能电池概念(topcon solar cell concept)。一个钝化接触可为电荷载子选择性的，也就是说，举例来说，其可以允许负电荷载子(电子)要比正电荷载子(电洞)更容易通过，或者反之亦然。这可以降低该半导体基体的表面上之复合损失，这可增高该太阳能电池的效率。为了这个目的，该钝化接触包含一个非常薄的介电层，举例来说呈一个氧化物层的形式，电荷载子可以部分地穿隧通过该层而该层因此亦被称之为一个隧道层或隧道氧...
【技术保护点】
1.一种处理复数个太阳能电池基体(5)的方法，各个太阳能电池基体(5)包含一个硅晶圆，该方法包含至少下列处理步骤：
2.如权利要求1的方法，其中一个掺杂射极层(71)以及一个覆盖该射极层的硅酸盐玻璃层(73)被布置在该硅基体(5)之一表面上，该方法在处理步骤(i)内包含：
3.如权利要求1或2的方法，其中该等太阳能电池基体(5)借助于该处理装置(3)的一个共同输送装置(11)而被一个接着一个移动，首先通过一个含有该蚀刻液的蚀刻液浴槽(13)，并且接而通过一个含有该氧化液的氧化液浴槽(33)。
4.如权利要求1至3中任一项的方法，其中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理复数个太阳能电池基体(5)的方法，各个太阳能电池基体(5)包含一个硅晶圆，该方法包含至少下列处理步骤：
2.如权利要求1的方法，其中一个掺杂射极层(71)以及一个覆盖该射极层的硅酸盐玻璃层(73)被布置在该硅基体(5)之一表面上，该方法在处理步骤(i)内包含：
3.如权利要求1或2的方法，其中该等太阳能电池基体(5)借助于该处理装置(3)的一个共同输送装置(11)而被一个接着一个移动，首先通过一个含有该蚀刻液的蚀刻液浴槽(13)，并且接而通过一个含有该氧化液的氧化液浴槽(33)。
4.如权利要求1至3中任一项的方法，其中在处理步骤(i)和(ii)期间当中，该等太阳能电池基体(5)系在一个等速率之下被移动，首先通过该蚀刻液，并且
5.如前述权利要求中任一项的方法，其中在一从处理步骤(i)至处理步骤(ii)的转移期间当中，该等太阳能电池基体(5)至少在一些区域内保持被液体润湿。
6.如前述权利要求中任一项的方法，其中在处理步骤(ii)中，该氧化硅薄膜(77)系被生成在该太阳能电池基体(5)的该部分表面上，其系藉由使用一种含臭氧溶液来处理该部分表面。
7.如权利要求6的方法，其中该含臭氧溶液具有一臭氧浓度介于0.1ppm和70ppm之间，优选地介于1ppm和40ppm之间，以及更优选地介于25ppm和40ppm之间。
8.如权利要求6和7中任一项的方法，其中该含臭氧溶液具有一个温度介于0℃和60℃之间，优选地介于20℃和50℃之间，以及更优选地介于30℃和45℃之间。
9.如权利要求6至8中任一项的方法，其中该含臭氧溶液被调整至一个少于6的ph值，优选地，藉由添加一种酸，优选地藉由添加氢氯酸，至一介于3和4之间的ph值。
10.如前述权利要求中任一项的方法，其中该太阳能电池基体(5)的该部分表面被处理以一段介于1秒和300秒之间之处理时间，优选地介于50秒和180秒之间。
11.如前述权利要求中任一项的方法，其中在处理步骤(ii)中，该氧化硅薄膜(77)系呈一循序方式，藉由以一第一浴槽(34a)内所含有的一种第一含臭氧溶液来处理该部分表面，并且接而以一第二浴槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·诺克，米尔扎·科达，本杰明·曼德尔迈尔，比安卡·沃滕伯格，
申请(专利权)人：新格拉斯科技集团，
类型：发明
国别省市：
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