一种激光切割保护胶液及其制备方法技术

一种激光切割保护胶液及其制备方法，涉及芯片加工技术领域，解决了切割过程中崩裂、破片、碎屑、粉尘或熔渣冷凝沉积等问题。所述激光切割保护胶液包括如下质量份数的组分：去离子水50份~120份，水溶性醇酸树脂5份~10份，水溶性树脂10份~20份，表面活性剂1份~5份，紫外吸收剂0.1份~0.5份，防腐剂0.1份~3份，pH调节剂0.1份~0.5份，有机溶剂10份~20份；所述水溶性醇酸树脂是由含有三官能团或四官能团的羧基或磺酸基单体与胺碱中和得到的。本发明专利技术可用于芯片切割过程中，具有较好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片加工，具体涉及一种激光切割保护胶液及其制备方法。

技术介绍

1、随着集成电路制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大，随着晶粒尺寸随芯片集成化程度的提高而减小，相应地切割道的间隔需要逐渐变窄。传统半导体芯片封装制程中的切割方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。金刚石划片容易产生崩裂、破片、碎屑，崩片或碎屑粘附在晶粒边缘都会造成电路损伤等问题，不良率较高。激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化，完成硅片分离，但高温会使切缝周围产生热应力，激光的高能量被衬底吸收，导致衬底熔化或气化产生粉尘或熔渣，冷凝后沉积在芯片表面上，导致芯片表面污染从而损害半导体芯片的质量。切割的质量与效率直接影响芯片的质量和生产成本，随着芯片沿大规模方向发展，划片工艺呈现愈发精细化、高效化的趋势。

2、因此为解决切割过程中崩裂、破片、碎屑、粉尘或熔渣冷凝沉积等问题，激光切割前往往需要覆盖一层保护膜，以便能够在加工过程中保护芯片，降低产品的不良率，在保护硅、蓝宝石、砷化镓、碳化硅以及半导体晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光切割保护胶液，其特征在于，包括如下质量份数的组分：

2.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述水溶性树脂的平均分子量为10000~50000；所述水溶性醇酸树脂的平均分子量为5000~25000。

3.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述水溶性醇酸树脂是由含有三官能团或四官能团的羧基或磺酸基单体与胺碱中和得到的。

4.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚、脂肪酸酯、脂肪酸甲酯乙氧基化物、聚氧乙烯酯类、聚氧乙烯酸类、聚酸类、脂肪...

【技术特征摘要】

1.一种激光切割保护胶液，其特征在于，包括如下质量份数的组分：

2.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述水溶性树脂的平均分子量为10000~50000；所述水溶性醇酸树脂的平均分子量为5000~25000。

3.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述水溶性醇酸树脂是由含有三官能团或四官能团的羧基或磺酸基单体与胺碱中和得到的。

4.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、多元醇聚氧乙烯醚、脂肪酸酯、脂肪酸甲酯乙氧基化物、聚氧乙烯酯类、聚氧乙烯酸类、聚酸类、脂肪醇烷氧基类、硬脂酸类、丙三醇和磷酸盐类中一种或至少两种的组合。

5.根据权利要求1所述的激光切割保护胶液，其特征在于，所述紫外吸收剂为阿魏酸、2，4，6-三（4-羟基苯基）三嗪、苯并三唑、4，4’-2羧基二苯甲酮、二苯甲酮-4-羧酸、4-羟基-3-甲氧基肉桂酸、异阿魏酸、咖啡酸、芥子酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉凤，吕广超，刘丹，尹逸卓，于佳蕊，
申请(专利权)人：长春艾德斯新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：