【技术实现步骤摘要】
本技术涉及衬底成型，尤其涉及一种衬底边缘抛光装置。
技术介绍
1、碳化硅是目前第三代半导体的典型材料，具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高电子饱和速率和高抗辐射能力，适合制作高温、高频、高功率、抗辐射的大功率器件，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等应用领域具有显著的优势，广泛被应用于5g通信、电动汽车、充电桩、高速轨道交通、高压输变电等行业。
2、碳化硅衬底是碳化硅器件的基础材料，碳化硅衬底的品质决定了器件的质量和成本，提高碳化硅衬底产品的品质有利于提高碳化硅外延和器件的品质和良品率，降低产品成本。碳化硅衬底的加工路线中，会对碳化硅衬底进行倒角。
3、然而，现有一般采用400#～1500#颗粒度的金刚石砂轮对碳化硅衬底的上侧面、外端面、下侧面做机械磨削加工，以形成倒角。这种方式的磨削应力大，有可能破坏碳化硅衬底的晶格完整性；并且，金刚石颗粒度比较粗，且均匀性不好，会导致碳化硅衬底倒角处的侧面和外端面存在如崩边、碎崩等微观缺陷，侧面、端面的应力损伤层，以及各种金属离子等杂质污染物。微观缺陷和损伤层的存...
【技术保护点】
1.一种衬底边缘抛光装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述抛光轮组件(2)还包括基体(21)，所述抛光部(22)的至少一部分环绕设置于所述基体(21)的外周，所述抛光部(22)用于抛光的部分为柔性材料。
3.根据权利要求2所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述抛光部(22)包括多个抛光布，所述抛光部能够存储和释放抛光液；至少部分所述抛光布自所述基体(21)，以朝向所述衬底(100)的外端面(103)延伸的长度各不相同，以使多个所述抛光布形成有与所述衬底(100)的不同面适配的第一接触部(23)和第...
【技术特征摘要】
1.一种衬底边缘抛光装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述抛光轮组件(2)还包括基体(21)，所述抛光部(22)的至少一部分环绕设置于所述基体(21)的外周，所述抛光部(22)用于抛光的部分为柔性材料。
3.根据权利要求2所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述抛光部(22)包括多个抛光布，所述抛光部能够存储和释放抛光液；至少部分所述抛光布自所述基体(21)，以朝向所述衬底(100)的外端面(103)延伸的长度各不相同，以使多个所述抛光布形成有与所述衬底(100)的不同面适配的第一接触部(23)和第二接触部(24)。
4.根据权利要求3所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，多个所述抛光布朝向所述衬底(100)的一侧还形成有第三接触部(25)；所述第三接触部(25)与所述第二接触部(24)和所述第一接触部(23)沿所述衬底(100)的厚度方向依次设置，且所述第三接触部(25)和所述第二接触部(24)能够与所述衬底(100)的不同面同时接触，以用于同时抛光所述衬底(100)的不同面；
5.根据权利要求3所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述基体(21)内形成有沿所述衬底(100)厚度方向延伸的空腔(211)，所述空腔(211)内收容有多个调节件(212)；
6.根据权利要求2所述的衬底边缘抛光装置，其特征在于，所述抛光轮组件(2)包括端面抛光轮(2...
【专利技术属性】
技术研发人员：周国清，李春雨，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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