射频芯片封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种射频芯片封装结构，封装结构包括：基板、源端射频芯片和功率放大芯片；基板的第一表面贴附功率放大芯片的区域设置有第一通孔，第一通孔内填充有第一金属体，功率放大芯片通过导热胶体与第一金属体接触连接；基板的第一表面贴附源端射频芯片的区域设置有第二通孔，第二通孔内填充有第二金属体，第二金属体的表面下沉于基板的第一表面，以与基板形成凹陷结构，源端射频芯片容置于凹陷结构内，并通过导热胶体与第二金属体接触连接；所述第一金属体被构造为第一散热焊盘，所述第二金属体被构造为第二散热焊盘。本发明专利技术所提供的技术方案能够最大化提升无线射频芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装，尤其涉及一种射频芯片封装结构。

技术介绍

1、无线射频信号的接收和发射强烈地依赖于功率放大器(power amplifier，pa)的性能，大功率pa芯片在工作过程中发热量大，温度升高显著，为了解决pa芯片的散热问题，常规做法是把pa芯片尽可能地做薄。然而。与pa芯片配合使用的源端射频芯片，如开关芯片sw、低噪放芯片lna、控制器controller芯片、天线面阵列芯片等，由于功能的不同、芯片衬底材质不同，功耗低，发热不是关键问题，芯片厚度一般比较厚。

2、传统的射频芯片封装结构采用qfn封装结构，此时，功率放大芯片与源端射频芯片的底面处于相同的水平面，由于功率放大芯片与源端射频芯片的厚度不同，不可避免的造成功率放大芯片与源端射频芯片之间的金属连接线的长度变长，从而造成射频无线信号的传输质量受到干扰影响，甚至导致信号传输或接收功能下降等问题。另外，qfn封装结构引出输入、输出i/o数量有限，在功率放大芯片、源端射频芯片数量和自身输入输出i/o数量比较多的情况下，qfn封装结构的i/o数量不能满足封装电性能的需求。此外，也本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、源端射频芯片和功率放大芯片，其中，所述源端射频芯片的厚度大于所述功率放大芯片的厚度；所述基板具有相对的第一表面和第二表面；

2.如权利要求1所述的射频芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热焊盘和所述第二散热焊盘露出所述基板的所述第二表面。

3.如权利要求1所述的射频芯片封装结构，其特征在于，

4.如权利要求1所述的射频芯片封装结构，其特征在于，

5.如权利要求4所述的射频芯片封装结构，其特征在于，

6.如权利要求5所述的射频芯片封装结构，其特征在于，

<p>7.如权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种射频芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、源端射频芯片和功率放大芯片，其中，所述源端射频芯片的厚度大于所述功率放大芯片的厚度；所述基板具有相对的第一表面和第二表面；

2.如权利要求1所述的射频芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热焊盘和所述第二散热焊盘露出所述基板的所述第二表面。

3.如权利要求1所述的射频芯片封装结构，其特征在于，

4.如权利要求1所述的射频芯片封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：申中国，杨怀科，罗志耀，
申请(专利权)人：升新科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：