一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规，主要通过设置多个导流通道，沉积物或侵蚀物将部分的沉积到导流通道侧壁面，从而减少应变膜片受到的污染。本发明专利技术的主要技术方案为：一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，薄膜式真空规包括应变膜片和测试气入口，抑制沉积导流模块包括：主体，主体包括第一端面和第二端面，第一端面用于与应变膜片相对，第二端面用于与测试气入口相对；主体上开设有多个导流通道，导流通道贯通第一端面和第二端面。本发明专利技术主要用于抑制薄膜式真空规中附着物沉积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空规，尤其涉及一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块及薄膜式真空规。

技术介绍

1、在真空测量中，薄膜式真空规是精度最高的产品之一，其最核心的结构是应变膜片,应变膜片将真空规的内腔分成被测腔室和基准压力腔室，基准压力腔室的气压为近似恒定，两个腔室之间压力差使得应变膜片产生形变，通过形变量大小测算出被测腔室的压力值，压力差的准确测量决定了薄膜真空规测试的一致性和稳定性。超薄应变膜片品质的一致性及对压力差的敏感性决定了压力探测的可靠性和响应速度，超薄应变膜片表面状态控制是薄膜式真空规的持续高性能指标的关键。

2、然而，在薄膜式真空规应用的环境中，制程工艺夹杂易附着的反应气体副产物，有的制程甚至直接采用强腐蚀性物质如氯基、氟基、卤素等介质，工艺气体以及形成的副产物具有强腐蚀性或者附着性。在压力测量时，这些组分会直接冲击和侵蚀传感器的膜片，对应变膜片侵蚀或在应变膜片上沉积污染物，这些会造成应变膜片测试数据出现偏差。此外，在刻蚀、镀膜等工艺过程中会产生大量的颗粒状工艺副产物，这些颗粒副产物会附着在薄膜式真空规的应变膜片表面，这些附着物对纳米级本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，所述薄膜式真空规包括应变膜片和测试气入口，其特征在于，所述抑制沉积导流模块包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，所述薄膜式真空规包括应变膜片和测试气入口，其特征在于，所述抑制沉积导流模块包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的薄膜式真空规用抑制沉积导流模块，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张心强，徐亚辉，李超波，孙小孟，郜晨希，张沙，苏涛，林琳，刘瑞琪，郑旭，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：