【技术实现步骤摘要】
本公开涉及led芯片，尤其涉及一种正装led芯片及其制作方法。
技术介绍
1、随着led芯片应用市场的扩大，led芯片在背光和显示领域的使用越来越多。目前led芯片从结构上主要分为倒装(chips on board，cob)led芯片、正装(package on board，pob)led芯片和垂直led芯片。cob封装，即led芯片与印制电路板(printed circuit board，pcb)的封装，一般用作高端显示和背光，其优点是led芯片直接连接到pcb板，整体组成较薄，因此可以制作成超薄的显示屏，同时由于倒装led芯片特殊的出光方式和较大的光斑，屏幕混光均匀且分辨率高，但其制作成本较高，技术不太成熟，并且因封装胶和pcb板粘附性较一般，可能导致外界的水汽侵入导致失效；pob封装，即正装芯片固定到支架上后和pcb板的封装，该封装技术成熟且稳定，整体较厚一般作为中端应用，但其出光光斑小。
2、正装led芯片从功能结构上一般分为五层，即n电极(mesa)、电流阻挡层(cbl)、电流扩展层(ito)、金属电极(pad)以及保护钝化层(pv)。为了达到和倒装led芯片一样的大光斑和高混光效果，正装led芯片大都通过在芯片的表面覆盖布拉格反射镜(dbr)的方法来增大出光角度，即正装led芯片的发光处位于电极一侧，靠背部dbr进行光的反射。
3、然而，在上述方案中，金属电极的大小及导电板边连续排列接点(finger)的宽窄对芯片的发光有着严重的影响，特别是n电极平台的大小会限制金属电极的大小：若金属电极太小
技术实现思路
1、本公开所要解决的一个技术问题是：如何提高正装led芯片的发光效率。
2、为解决上述技术问题，本公开的实施例一提供一种正装led芯片的制作方法，该正装led芯片的制作方法包括以下步骤：
3、s010、提供一图形化的衬底；
4、s020、在衬底上蒸镀外延层，以使衬底和外延层构成晶圆；
5、s030、对外延层背离衬底的表面进行光刻，以形成n电极平台；
6、s040、对n电极平台进行蚀刻，以形成多个孔洞状且均匀分布的n电极区域和多个块状且间隔设置的导电finger区；
7、s050、在晶圆背离衬底的表面沉积二氧化硅；
8、s060、对二氧化硅进行光刻和蚀刻以形成电流阻挡层；
9、s070、对电流阻挡层背离衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻，以形成电流扩展层；
10、s080、对电流扩展层背离衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻，以形成钝化保护层；
11、s090、对钝化保护层背离衬底的表面进行光刻、蒸镀和剥离，以形金属电极，获得芯片主体；
12、s100、对芯片主体进行研磨，以降低芯片主体的总厚度；
13、s110、在晶圆靠近衬底的表面进行沉积，以形成布拉格反射层。
14、在本公开的实施例一的一些实施方案中，在衬底上蒸镀外延层包括：在图形化的蓝宝石衬底上依次蒸镀氮化镓外延层；其中，氮化镓外延层包括：n型氮化镓、发光层和p型氮化镓。
15、在本公开的实施例一的一些实施方案中，对外延层背离衬底的表面进行光刻，以形成n电极区域包括：在外延层背离蓝宝石衬底的表面涂覆正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光及显影。
16、在本公开的实施例一的一些实施方案中，对n电极区域进行蚀刻包括：对n电极区域进行干法蚀刻，且蚀刻至n型氮化镓，以形成n电极平台；对n电极平台进行去胶。
17、在本公开的实施例一的一些实施方案中，在晶圆背离衬底的表面沉积二氧化硅包括：使用等离子增强化学气象沉积技术在晶圆背离蓝宝石衬底的表面沉积二氧化硅；对二氧化硅进行光刻和蚀刻以形成电流阻挡层包括：在二氧化硅背离蓝宝石衬底的表面部分涂覆正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光及显影；进行干法蚀刻及去胶，以形成电流阻挡层。
18、在本公开的实施例一的一些实施方案中，对电流阻挡层背离衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻包括：采用磁控溅射设备在电流阻挡层背离蓝宝石衬底的表面沉积导电层；对沉积后的导电层进行快速热退火；在导电层背离蓝宝石衬底的表面部分涂覆正性光刻胶；对正性光刻胶进行曝光及显影；进行湿法蚀刻及去胶，以形成电流扩展层。
19、在本公开的实施例一的一些实施方案中，对电流扩展层背离衬底的表面进行沉积、光刻和蚀刻包括：采用等离子增强化学气象沉积技术在晶圆背离蓝宝石衬底的表面沉积二氧化硅；涂覆正性光刻胶，并进行曝光及显影；采用干法蚀刻将未被正性光刻胶保护的二氧化硅去除并去胶，以形成钝化保护层。
20、在本公开的实施例一的一些实施方案中，对钝化保护层背离衬底的表面进行光刻、蒸镀和剥离包括：在钝化保护层背离蓝宝石衬底的表面涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行曝光及显影，以形成p/n电极和finger；采用电子束蒸发机台进行蒸镀，以形成蒸镀层；对蒸镀层进行剥离，以形成金属电极。
21、在本公开的实施例一的一些实施方案中，在晶圆靠近衬底的表面进行沉积，以形成布拉格反射层包括：在晶圆靠近蓝宝石衬底的表面沉积二氧化硅与五氧化钛的一次叠层。
22、本公开的实施例二提供一种正装led芯片，该正装led芯片基于上述任一项本公开的实施例一提供的正装led芯片的制作方法制得，其包括：蓝宝石衬底、外延层、n电极平台和布拉格反射镜，外延层设置于蓝宝石衬底的一侧，外延层朝向远离蓝宝石衬底的方向外延，外延层包括依次层叠设置的n型氮化镓、发光层和p型氮化镓，n型氮化镓位于外延层靠近蓝宝石衬底的一侧；n电极平台设置于外延层背离蓝宝石衬底的一侧，n电极平台上设置有多个n电极和多个块状且沿预设方向间隔设置的finger；布拉格反射镜设置于蓝宝石衬底背离外延层的一侧。
23、通过上述技术方案，本申请与传统的n电极平台设计方案相比，提出了一种新的n电极平台设计方案，与传统的电极平台相比，通过本申请提出的制作方法设计的n电极平台以整体设计成n电极区域和导电finger区。该n电极平台相较于传统电极，只有多个孔洞状且均匀分布的n电极区域蚀刻至n型氮化镓，n电极区域采用孔洞状的结构设计可以减少n电极平台对光的吸收，同时可以根据多个孔洞结构的总面积的大小调整焊线金球的大小，在保证粘附性的同时节省生产物料，从而降低生产成本；多个块状且间隔设置的导电finger区相较于传统的整体长条状的导电finger，可以减少对光的吸收和发光面积的浪费，且块状结构的导电finger区还可以与后续的金属电极材料构成光反射单元，进一步增加光的反射效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的正装LED芯片的制作方法，其特征在于，
10.一种正装LED芯片，基于如权利要求1-9任一项所述的正装LED芯片的制作方法制得，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种正装led芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的正装led芯片的制作方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的正装led芯片的制作方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的正装led芯片的制作方法，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的正装led芯片的制作方法，其特征在于，
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：康志杰，贾钊，窦志珍，胡恒广，董昆，
申请(专利权)人：青岛旭芯互联科技研发有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。