一种背接触电池及其制造方法、光伏组件技术

技术编号:41748193 阅读:25 留言:0更新日期:2024-06-21 21:33
本发明专利技术公开一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,以提高背接触电池的制造效率,增加背接触电池的制造产能。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂部、第二掺杂部和互连结构。半导体基底的第一面具有交替分布的第一区和第二区。第一掺杂部位于第一区。第二掺杂部包括位于第二区的第二掺杂部A、以及位于第一掺杂部背离半导体基底的部分上方的第二掺杂部B。第二掺杂部和第一掺杂部的导电类型相反。第二掺杂部B和第一掺杂部间隔设置。多个互连结构位于第一掺杂部背离半导体基底的一侧,且互连结构与第一掺杂部电性连接。每个第二掺杂部B的至少部分区域位于相应互连结构和第一掺杂部之间、且第二掺杂部B与互连结构相互绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏,尤其涉及一种背接触电池及其制造方法、光伏组件


技术介绍

1、太阳能电池正是一种能够将太阳的光能转化为电能的装置。其中,正电极和负电极都处于电池的背面的太阳能电池为背接触电池。与双面接触太阳能电池相比,该背接触电池的正面没有金属电极的遮挡,使得背接触电池的向光面一侧具有更高的光线利用率,因此背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率,是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

2、但是,现有的背接触电池的制造效率较低,不利于提高背接触电池的产能。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,用于提高背接触电池的制造效率,增加背接触电池的制造产能。

2、为了实现上述目的,第一方面,本专利技术提供了一种背接触电池,该背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂部、第二掺杂部和多个互连结构。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。第一面具有交替分布的第一区和第二区。第一掺杂部位于第一区。第二掺杂部包括位于第二区的第二掺杂部a、以及位于第一掺杂部背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述背接触电池还包括第一绝缘层;所述第一绝缘层至少位于所述第一掺杂部和所述第二掺杂部B之间;和/或,

3.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,在所述第一掺杂部的材料包括硅的情况下,所述第一绝缘层包括掺杂硅玻璃层;和/或,

4.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,所述互连结构延伸至所述第二绝缘层内的深度与所述第二绝缘层的厚度的比值大于等于0、且小于等于0.85;和/或,

5.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一掺杂部和所述第...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述背接触电池还包括第一绝缘层;所述第一绝缘层至少位于所述第一掺杂部和所述第二掺杂部b之间;和/或,

3.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,在所述第一掺杂部的材料包括硅的情况下,所述第一绝缘层包括掺杂硅玻璃层;和/或,

4.根据权利要求2所述的背接触电池,其特征在于,所述互连结构延伸至所述第二绝缘层内的深度与所述第二绝缘层的厚度的比值大于等于0、且小于等于0.85;和/或,

5.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,所述第一掺杂部和所述第二掺杂部a呈条状交替间隔分布的情况下,所述第一掺杂部和所述第二掺杂部a均包括多个条状区;所述第一掺杂部包括的条状区和所述第二掺杂部a包括的条状区间隔且不相交分布,相邻两个所述条状区之间具有间隔区;其中,

6.根据权利要求5所述的背接触电池,其特征在于,在至少一个所述第二掺杂部b在所述第一面上的正投影仅位于所述第一掺杂部包括的所述条状区在所述第一面上的正投影的部分区域内的情况下,

7.根据权利要求5所述的背接触电池,其特征在于,沿所述条状区的长度方向,所述第二掺杂部b的长度与所述互连结构的长度的比值大于等于0.1、且小于等于0.9;和/或,

8.根据权利要求1所述的背接触电池,其特征在于,在所述第一掺杂部和所述第二掺杂部a呈叉指状交替间隔分布的情况下,所述第一掺杂部和所述第二掺杂部a均包括多个条状区和多个连接区;所述第一掺杂部包括的条状区和所述第二掺杂部a包括的条状区平行且交替间隔分布;所述第一掺杂部包括的连接区和所述第一掺杂部包括的相应条状区相交;所述第二掺杂部a包括的连接区和所述第二掺杂部a包括的相应条状区相交;所述连接区的长度方向不同于所述条状区的长度方向;其中,

9.根据权利要求5或8所述的背接触电池,其特征在于,位于相邻两个所述条状区之间的所述间隔区形成有沟槽,所述第一掺杂部与所述第二掺杂部b在所述沟槽内搭接形成导电通道;或,

10.根据权利要求9所述的背接触电池,其特征在于,部分所述绝缘部形成在所述间隔区的局部区域、且位于所述第二掺杂部b和所述第二掺杂部a之间。

11.根据权利要求9所述的背接触电池,其特征在于,所述第一掺杂部和所述第二掺杂部b均为位于所述半导体基底上的掺杂层,所述第二掺杂部b与所述第一掺杂部沿厚度方向的侧壁搭接形成导电通道。

12.根据权利要求5或8所述的背接触电池,其特征在于,所述背接触电池包括界面钝化层;所述界面钝化层设置在所述第二掺杂部a和所述半导体基底之间、以及所述第二掺杂部b分别和所述第一掺杂部和所述半导体基底之间;所述界面钝化层对应所述第一区和间隔区的部分一体连续。

13.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:李振国童洪波刘畅於龙
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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