【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入，尤其涉及一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法及检测方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，离子注入用于改变半导体材料的电学性质是一个关键步骤，对于控制杂质的浓度和深度分布至关重要。同时，监控离子注入过程中的剂量和温度对于确保产品质量和工艺控制具有重要意义。然而现有的监控设备往往无法实现同时高精度测量剂量和衬底温度，主要是检测离子注入的剂量。
2、目前的剂量检测方法主要是利用角法拉第杯进行检测。离子源产生的离子经过加速管加速后形成离子束，而离子束进入到离子注入腔之前会通过一个圆形通孔，而法拉第杯则设置在圆形通孔的四周，离子束的截面大于圆形通孔，因此，离子束通过圆形通孔时还有一部分离子会被法拉第杯检测，通过法拉第杯来检测离子束中的离子量，最终得出注入到晶圆内的离子注入量。
3、然后目前的这种离子注入的检测方法还是存在以下不足：
4、1、由于法拉第杯的检测的模式理论上讲还是抽检的方式，因为法拉第杯只是检测了离子束中一小块区域中，因此最终的结果是通过法拉第杯检测的数值在认...
【技术保护点】
1.一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述硅片为单晶硅片，所述正面绝缘介质薄膜层和背面绝缘介质薄膜层为氮化硅层或二氧化硅层或氮化硅层和二氧化硅层叠置的组合层。
3.如权利要求2所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述下电极层为金、铂、银、铜、钨、钼中的任意一种或者几种的合金，下电极层的厚度为50nm-5um。
4.如权利要求3所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作...
【技术特征摘要】
1.一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述硅片为单晶硅片，所述正面绝缘介质薄膜层和背面绝缘介质薄膜层为氮化硅层或二氧化硅层或氮化硅层和二氧化硅层叠置的组合层。
3.如权利要求2所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述下电极层为金、铂、银、铜、钨、钼中的任意一种或者几种的合金，下电极层的厚度为50nm-5um。
4.如权利要求3所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述热释电材料薄膜层中的热释电材料为三甘醇硫酸酯及其衍生物、金刚烷胺甲酸盐、聚偏氟乙烯、钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝、锆钛酸铅（pzt）、钛酸锶钡、钽钪酸铅、铅镁铌钛酸盐中的一种。
5.如权利要求4所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述热释电材料薄膜层的厚度为50nm-5um。
6.如权利要求5所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述步骤s7采用抛光设备打磨去除背面绝缘介质薄膜层。
7.如权利要求6所述的一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：所述步骤s8中玻璃片的固定方式采用紫外光辅助键合或者阳极键合或...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁桃宝，
申请(专利权)人：江苏晋誉达半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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