一种铜铟硒溅射靶材及其制备方法技术

技术编号:41746385 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-21 21:32
本申请涉及光电材料领域,具体公开了一种铜铟硒溅射靶材及其制备方法,其制备方法包括以下步骤:S1、制备CuIn粉末:将二水合氯化铜、氯化铟的盐酸溶液混合得到初混液,然后加入草酸溶液混合,搅拌,调节pH值为5‑6,反应陈化,过滤洗涤得到CuIn粉末;S2、准备硒化铟粉末,将In粉和Se粉混合后在真空条件下进行固相反应,得到硒化铟粉末;S3、烧结:将步骤S1中制得的CuIn粉末与步骤S2中制得的硒化铟粉末球磨混合后置于模具中,进行真空烧结,然后随炉冷却脱模,制得铜铟硒靶材;本申请还公开了采用上述方法制得的铜铟硒溅射靶材,其具有提高铜铟硒溅射靶材的电导率性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电材料,更具体地说,它涉及一种铜铟硒溅射靶材及其制备方法


技术介绍

1、太阳能电池是利用太阳光与材料相互作用直接产生电能的,是对环境无污染的可再生能源。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能量后发生光电转换效应。根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1)以非晶硅(α-si)、多晶硅和单晶硅为材料的硅太阳能电池;2)以ⅲ-ⅴ族化合物半导体如gaas、inp等多元化合物为材料的太阳能电池;3)以铜铟硒(cuinse2简写为cis)为材料生产的太阳能电池;4)以其他材料(ⅱ-ⅵ族半导体,塑料/有机材料)生产的太阳能电池。在这些众多的半导体材料中,铜铟硒半导体薄膜即cuinse2(简称cis)是性能比较优良的太阳光吸收材料。

2、铜铟硒是一种直接带隙半导体材料,光吸收率高达105数量级,是至今报道过的半导体中光吸收系数最高的,对于太阳电池基区光子的吸收,少量载流子的收集是非常有利的条件,最适合太阳电池薄膜化,电池厚度可做到2-3μm,降低昂贵的材料消耗。而且以cis薄膜为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步骤S2中,将In粉和Se粉混合后在真空条件下进行固相反应后得到初级硒化铟,然后将初级硒化铟在空气氛围中焙烧,加入淀粉,继续焙烧,焙烧后冷却,干燥,然后加入Cu粉,混合进行真空球磨,烘干,制得硒化铟粉末。

3.根据权利要求1或2所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步骤S1中,氯化铟溶解在2-6mol/L的盐酸中添加,草酸溶液的添加量为初混液添加量的5-10wt%;

4.根据权利要求1或2所述的一种铜铟硒溅射靶材的制...

【技术特征摘要】

1.一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步骤s2中,将in粉和se粉混合后在真空条件下进行固相反应后得到初级硒化铟,然后将初级硒化铟在空气氛围中焙烧,加入淀粉,继续焙烧,焙烧后冷却,干燥,然后加入cu粉,混合进行真空球磨,烘干,制得硒化铟粉末。

3.根据权利要求1或2所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步骤s1中,氯化铟溶解在2-6mol/l的盐酸中添加,草酸溶液的添加量为初混液添加量的5-10wt%;

4.根据权利要求1或2所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步骤s1中,初混液中加入草酸溶液混合后,在50-55℃条件下恒温搅拌,搅拌30-40min后,调节ph值为5-6,反应1-2h后陈化。

5.根据权利要求1或2所述的一种铜铟硒溅射靶材的制备方法,其特征在于:步...

【专利技术属性】
技术研发人员:葛春桥陈露李强高钰航罗泽宇高洋
申请(专利权)人:中山智隆新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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