【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料生产，尤其是涉及一种碳化硅半导体生产用的单晶炉。
技术介绍
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，在多个领域都获得广泛运用，例如集成电路，通信系统等，半导体在生产过程中单晶炉是关键设备之一，其主要作用是用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化。
2、公告号cn214736216u的技术专利提出了一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，包括保温密封仓主体、电机和密封盖，所述保温密封仓主体底部的两侧皆安装有支撑脚，且保温密封仓主体一侧的底部连通有进出气管，所述进出气管的外侧安装有阀门，所述保温密封仓主体两侧的顶部皆开设有限位槽，所述保温密封仓主体内部底部的中间位置处贯穿有支撑轴，所述支撑脚与支撑轴之间的保温密封仓主体上皆固定有安装筒，所述安装筒的内部贯穿有活动杆，且活动杆与安装筒之间连接有第一弹簧，所述活动杆的底端安装有安装板，且安装板顶部的中间位置处安装有电机，所述电机的输出端连接有传动轴，且传动轴延伸至支撑轴的内部，所述传动轴与支撑轴之间连接有第二弹簧，所述保温密封仓主体顶部的边缘处开设有密封槽，且...
【技术保护点】
1.一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，包括单晶炉组件(1)，其特征在于，所述单晶炉组件(1)内腔周侧侧壁上安装有加热组件(2)，所述单晶炉组件(1)内腔中安装有盛设组件(3)，所述单晶炉组件(1)底部安装有用于进行缓冲和减震作用的缓冲减震组件(4)，所述缓冲减震组件(4)上方的所述盛设组件(3)上安装有水冷组件(5)，所述水冷组件(5)包括盛设筒(501)，所述盛设筒(501)内部中空，所述盛设筒(501)两侧侧壁上均开设有与所述盛设筒(501)内部相连通的连接孔(503)，其中一侧的所述连接孔(503)内部穿设有进水管(504)，另一侧的所述连接孔(503)内部穿设有...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，包括单晶炉组件(1)，其特征在于，所述单晶炉组件(1)内腔周侧侧壁上安装有加热组件(2)，所述单晶炉组件(1)内腔中安装有盛设组件(3)，所述单晶炉组件(1)底部安装有用于进行缓冲和减震作用的缓冲减震组件(4)，所述缓冲减震组件(4)上方的所述盛设组件(3)上安装有水冷组件(5)，所述水冷组件(5)包括盛设筒(501)，所述盛设筒(501)内部中空，所述盛设筒(501)两侧侧壁上均开设有与所述盛设筒(501)内部相连通的连接孔(503)，其中一侧的所述连接孔(503)内部穿设有进水管(504)，另一侧的所述连接孔(503)内部穿设有排水管(505)，所述进水管(504)和所述排水管(505)均与所述盛设筒(501)侧壁固定连接，所述进水管(504)远离所述盛设筒(501)的一端与外部进水管道相连通，所述排水管(505)远离所述盛设筒(501)的一端与外部排水管道相连通。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述单晶炉组件(1)包括炉体(101)，所述炉体(101)底部周侧矩阵设置有多个支撑腿(102)，多个所述支撑腿(102)顶部均与所述炉体(101)固定连接，所述炉体(101)顶部可拆卸连接有密封盖(103)。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述加热组件(2)包括多个安装于所述炉体(101)内壁上的防护罩(201)，每个所述防护罩(201)内腔中均安装有与外部电源连接的石墨加热器(203)，所述防护罩(201)远离所述炉体(101)内壁的一侧开设有散热孔(202)。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述盛设组件(3)包括安装于所述单晶炉组件(1)内腔中的固定筒(301)，所述固定筒(301)内部固定连接有坩埚(302)，所述固定筒(301)底部固定连接有传动管(303)，所述传动管(303)远离所述固定筒(301)的一端贯穿所述炉体(101)底壁并与所述炉体(101)底壁转动连接，所述传动管(303)下方安装有第一电机(304)，所述第一电机(304)的输出端上固定连接有传动轴(305)，所述传动轴(305)内嵌于所述传动管(303)底端内腔中，所述传动轴(305)与所述传动管(303)滑动连接。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，其特征在于：所述缓冲减震组件(4)包括设置于所述第一电机(304)两侧的两个滑管(401)，所述滑管(401)顶端与所述炉体...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖齐文，杨世勇，万鑫，郭鹏，孙小城，
申请(专利权)人：四川省珏源祥半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。