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本发明公开了一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，涉及半导体材料生产技术领域，包括单晶炉组件，单晶炉组件内腔周侧侧壁上安装有加热组件，单晶炉组件内腔中安装有盛设组件，单晶炉组件底部安装有用于进行缓冲和减震作用的缓冲减震组件。本发明通过盛设筒、进水...
该专利属于四川省珏源祥半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川省珏源祥半导体技术有限公司授权不得商用。

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