【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种单片三维集成微处理器，及单片三维集成微处理器的操作方法和制备方法。
技术介绍
1、随着集成电路工艺节点的不断演进，物理尺寸的极限与“存储墙”成为了制约摩尔定律进一步延续的两个瓶颈问题。为进一步提高晶体管集成密度，延续摩尔定律，先进工艺与封装技术相继被提出。
2、例如，单片三维集成(monolithic 3d)是在晶体管层级进行三维堆叠的工艺技术，通过层间绝缘层以及其中的过孔在垂直方向堆叠晶体管和其他逻辑、存储器件，进一步提升单位面积的晶体管数目和数据通信效率。此外，基于单片三维集成的微处理器局部模块的电路架构相继被提出，并且国内外对于使用缓存模块作为微处理器存算架构的连接部分也有相关探索。
技术实现思路
1、本公开至少一实施例提供一种单片三维集成微处理器，包括逻辑/存内计算层、动态随机存储器层和互补场效应晶体管层，其中，逻辑/存内计算层包括逻辑电路和配置为执行矩阵乘法运算的存内计算电路；动态随机存储器层包括作为所述单片三维集成微处理器的内存的动态随机存储器...
【技术保护点】
1.一种单片三维集成微处理器，包括：
2.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述逻辑电路为硅基半导体电路且配置为至少用于控制所述存内计算电路。
3.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述存内计算电路包括至少一个忆阻器阵列，所述忆阻器阵列包括多个排列为阵列的忆阻器。
4.如权利要求3所述的单片三维集成微处理器，其中，所述忆阻器为阻变式存储器、相变存储器或磁性随机存储器。
5.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述动态随机存储器件为无电容动态随机存储器件。
6.如权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种单片三维集成微处理器，包括：
2.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述逻辑电路为硅基半导体电路且配置为至少用于控制所述存内计算电路。
3.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述存内计算电路包括至少一个忆阻器阵列，所述忆阻器阵列包括多个排列为阵列的忆阻器。
4.如权利要求3所述的单片三维集成微处理器，其中，所述忆阻器为阻变式存储器、相变存储器或磁性随机存储器。
5.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述动态随机存储器件为无电容动态随机存储器件。
6.如权利要求1所述的单片三维集成微处理器，其中，所述互补场效应晶体管层包括彼此并列的第一部分和第二部分，
7.如权利要求6所述的单片三维集成微处理器，其中，所述第一部分包括彼此层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层包括所述逻辑控制电路和所述计算电路，所述第二子层包括所述缓冲电路；
8.如权利要求7所述的单片三维集成微处理器，其中，所述第三子层还包括用于全体存储体的译码与驱动电路。
9.如权利要求6所述的单片三维集成微处理器，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐建石，樊易嘉，李怡均，高滨，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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