【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体涉及一种光学器件及其形成方法。
技术介绍
1、硅光集成芯片是以光子作为信息传输和处理的载体，具有传输速度快、信息容量大、功耗低等优势，可广泛应用于数据中心、5g通信、激光雷达、人工智能和量子计算等诸多领域。
2、硅光芯片的质量，受到光波导相位的影响。其中，通过降低硅光芯片中加热器结构深度的不均一性，可以提升硅光芯片中加热器结构的性能稳定性，增强加热器结构对光波导的相位控制，提升硅光芯片的质量。
3、然而，现有的技术中，容易造成加热器结构不稳定性提升，减弱了加热器结构对光波导的相位控制，进而降低了硅光芯片的质量。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种光学器件及其形成方法，提升了为加热器结构提供容纳空间的开口的深度均一性，从而提升了硅光芯片中加热器结构的性能稳定性，增强了加热器结构对光波导的相位控制，提升了硅光芯片质量。
2、为了解决上述问题，本专利技术的技术方案提出一种光学器件的形成方法，包括:形成衬底以...
【技术保护点】
1.一种光学器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于基底表面的绝缘层。
3.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层包括调制器。
4.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层还包括波导结构。
5.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层还包括光栅。
6.如权利要求4所述的光学器件，其特征在于，所述波导结构包括条形波导与脊形波导。
7.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述第一阻挡层厚度区间为所述第
【技术特征摘要】
1.一种光学器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于基底表面的绝缘层。
3.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层包括调制器。
4.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层还包括波导结构。
5.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述光电器件层还包括光栅。
6.如权利要求4所述的光学器件，其特征在于，所述波导结构包括条形波导与脊形波导。
7.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述第一阻挡层厚度区间为所述第一开口深度区间为
8.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，所述通孔深度区间为0.94μm～1.825μm。
9.如权利要求1所述的光学器件，其特征在于，还包括：位于所述第二介质层上的第二阻挡层；位于所述第二阻挡层上的第三介质层；位于所述第三介质层内的金属电互连结构层。
10.如权利要求9所述的光学器件，其特征在于，所述第二阻挡层厚度为
11.一种光学器件的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底以及位于基底表面的绝缘层。
13.如权利要求11所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述光电器件层包括调制器。
14.如权利要求11所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述光电器件层包括波导结构。
15.如权利要求11所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述光电器件层包括光栅。
16.如权利要求14所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述波导结构包括条形波导与脊形波导。
17.如权利要求12所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述衬底形成方法包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括基底、位于基底表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的半导体层；对所述半导体层进行图形化，形成位于绝缘层上的光电器件层。
18.如权利要求12所述的光学器件的形成方法，其特征在于，所述衬底形成方法还包括：提供基底；在所述基底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成半导体层；对所述半导体层进行图形化，形成位于绝缘层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，梁志伟，江小雪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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