【技术实现步骤摘要】
本申请涉及化学机械抛光,具体涉及一种预开孔抛光垫的定位装置及方法。
技术介绍
1、cmp(chemical mechanical polishing,化学机械抛光)是半导体晶片表面加工的关键技术,其通过化学腐蚀和机械研磨的协同配合,实现晶片表面多余材料的高效去除和全局纳米级平坦化。部分cmp设备利用上抛光盘和下抛光盘进行双面抛光,其通常在上抛光盘和下抛光盘表面均设置抛光垫,在上抛光盘开设供液孔,并在上抛光盘对应的抛光垫开设与供液孔连通的过液孔,供液孔的上端连接供液管进行抛光液的供应,使用时,上抛光盘和下抛光盘高速反向运转,抛光液依次经供液孔和过液孔进入上抛光盘和下抛光盘之间,并连续流动,在抛光液的化学腐蚀和抛光盘的机械研磨协同作用下,进行晶片表面的抛光。其中,上抛光盘配套的抛光垫是cmp设备的主要耗材之一,在生产过程中需要频繁更换。
2、目前,抛光垫的更换通常采用先贴垫后开孔方式,也即先将抛光垫贴到上抛光盘的下表面,再隔着抛光垫寻找供液孔的位置,并利用标记工具,例如锥子,进行位置标记,最后用开孔工具,例如锤子配合锥子,进行敲
...【技术保护点】
1.一种抛光垫定位装置,其特征在于,包括定位杆(1)和第一定位件(2);
2.根据权利要求1所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第一定位件(2)为套筒状,所述第一定位件(2)套设于所述第一端的外周壁。
3.根据权利要求1或2所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述抛光垫定位装置还包括第二定位件(3);
4.根据权利要求3所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第二定位件(3)采用磁铁制成,所述第二定位件(3)能够吸附于所述上抛光盘。
5.根据权利要求3所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第二定位件(3)开设有第一螺纹孔(
...【技术特征摘要】
1.一种抛光垫定位装置,其特征在于,包括定位杆(1)和第一定位件(2);
2.根据权利要求1所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第一定位件(2)为套筒状,所述第一定位件(2)套设于所述第一端的外周壁。
3.根据权利要求1或2所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述抛光垫定位装置还包括第二定位件(3);
4.根据权利要求3所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第二定位件(3)采用磁铁制成,所述第二定位件(3)能够吸附于所述上抛光盘。
5.根据权利要求3所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述第二定位件(3)开设有第一螺纹孔(3b),所述定位杆(1)的外周壁设有第一外螺纹(1a),所述第二定位件(3)和所述定位杆(1)螺纹连接。
6.根据权利要求1或2所述的抛光垫定位装置,其特征在于,所述抛光垫定位装置还包括第三定位件(4);
7.根据权利要求6所述的抛光垫定位装置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王先,崔建利,张贺,彭同华,杨建,
申请(专利权)人:北京天科合达半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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