【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及化学机械抛光工艺，涉及但不限于一种化学机械抛光工艺的厚度检测方法及装置。
技术介绍
1、化学机械抛光（chemical mechanical polishing，cmp）技术是实现硅晶圆表面薄膜全面平坦化的关键技术，集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体。在cmp工艺过程中，有效的终点检测（end point detection，epd）技术，能精确控制晶圆表面薄膜厚度的变化，避免表层材料去除过多或不足，并保证了晶圆表面的平坦度。
2、目前基于光学的终点检测技术，通常采用单波长激光照射在晶圆发生反射，通过检测反射光的光强变换曲线，在不同材质层存在光强突变，来确定晶圆表面的待抛光材料的厚度进而判断是否达到抛光终点。由于晶圆表面的待抛光材料的去除精度为纳米级，且检测光强易受电源电压波动、温度变化或其他因素的干扰，影响检测精度和检测的一致性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例化学机械抛光工艺的厚度检测方法及装置，能够提高化学机械抛光工艺中抛光工件的待处理层...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光工艺的厚度检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一条纹曲线和所述第二条纹曲线为所述多个亮条纹和/或多个暗条纹曲线中，任意两个不同的亮条纹曲线或任意两个不同的暗条纹曲线；所述间隔条纹曲线数目为所述第一条纹曲线与所述第二条纹曲线之间的亮条纹曲线的数目或暗条纹曲线的数目。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一条纹曲线与所述第二条纹曲线之间的间隔条纹曲线数目，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二对应关系满足如下表达式：
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光工艺的厚度检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一条纹曲线和所述第二条纹曲线为所述多个亮条纹和/或多个暗条纹曲线中，任意两个不同的亮条纹曲线或任意两个不同的暗条纹曲线；所述间隔条纹曲线数目为所述第一条纹曲线与所述第二条纹曲线之间的亮条纹曲线的数目或暗条纹曲线的数目。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述第一条纹曲线与所述第二条纹曲线之间的间隔条纹曲线数目，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二对应关系满足如下表达式：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述干涉条纹图像、预设的第一对应关系以及预设的第二对应关系，获取所述抛光工件的待处理层的厚度，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接收所述平行光束在所述抛光工件的目标抛光区域反射后的信号光束，获取干涉条纹图像，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述干涉条纹图像中行方向对应所述平行光束照射到所述抛光工...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏元夫半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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