【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压电薄膜制备，尤其涉及一种掺杂氮化铝压电薄膜的制备方法。
技术介绍
1、当今飞速发展的信息技术，对半导体材料提出了更高的要求。从高性能计算到先进的通信技术，电子器件的性能、功耗、体积等各个方面的均产生了巨大的优化需求。为满足这一需求，第三代半导体应运而生，其高电子迁移率、较低的功耗、更大的禁带宽度、卓越的热稳定性等优异特性使得第三代半导体成为当前电子器件领域备受关注的焦点，相关研究和开发成为了提升电子器件性能、推动技术创新的重要方向。
2、氮化铝是一种重要第三代宽禁带半导体材料，具有许多优异的性能，除了上述优势外，氮化铝还表现出热导率高、耐腐蚀、机械强度高、击穿场强大等特点，同时在所有无机非铁电压电材料中，氮化铝具有最高的声速，在声表面波(saw)器件与体声波(baw)器件中有重要的应用。
3、同时相比于其他薄膜压电材料，氮化铝的压电系数与机电耦合系数偏低，难以满足日益发展的通信技术对以saw滤波器为代表的各类声波器件的性能的要求，往往需要通过钪等元素的掺杂来提升其压电性能。目前制备掺杂氮化铝薄膜的...
【技术保护点】
1.一种掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤1)所述衬底为抛光的单晶金刚石或多晶金刚石。
3.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤2)所述第一层氮化铝薄膜的制备方法为磁控溅射、金属有机化合物化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
4.根据权利要求1或3所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤3)所述反应磁控溅射制备初步掺杂的氮化铝薄膜采用铝靶和掺杂元素靶在氮气和氩气的混合气体中共溅射，其中溅射气压范围为0...
【技术特征摘要】
1.一种掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤1)所述衬底为抛光的单晶金刚石或多晶金刚石。
3.根据权利要求1所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤2)所述第一层氮化铝薄膜的制备方法为磁控溅射、金属有机化合物化学气相沉积、原子层沉积中的一种。
4.根据权利要求1或3所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤3)所述反应磁控溅射制备初步掺杂的氮化铝薄膜采用铝靶和掺杂元素靶在氮气和氩气的混合气体中共溅射，其中溅射气压范围为0.1～1.0pa，氩气与氮气的流量比值范围为0.2～8.0，衬底加热温度范围为200～800℃，射频电源功率范围为50～600w，靶基距范围为5～15cm，反应腔本底真空气压小于7×10-5pa。
5.根据权利要求1或4所述的掺杂氮化铝压电薄膜的制作方法，其特征在于，步骤3)所述第一层氮化铝薄膜和初步掺杂的氮化铝薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：李成明，白雪杨，韩啸松，刘金龙，陈良贤，魏俊俊，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：
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