一种集成MEMS型F-P滤光器及其制作方法技术

本发明专利技术属于光谱成像探测领域，具体涉及一种集成MEMS型F‑P滤光器及其制作方法；集成MEMS型F‑P滤光器包括光电探测器，所述光电探测器内部设有光敏区；遮光层，其位于光电探测器的上表面；且遮光层中心部位内设有下布拉格层，下布拉格层位于光敏区正上方；支撑块，其位于遮光层的上表面；电极层，其位于支撑块的上表面；且电极层中设有上布拉格层；下布拉格层、上布拉格层，以及下布拉格层与上布拉格层间的空气层共同组成法布里‑珀罗腔；本发明专利技术所有工艺均在采用半导体工艺生产线上进行，且与光电探测器直接集成，可以简化结构、降低整体体积和重量，提高器件的抗外力敏感性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光谱成像探测领域，具体涉及一种集成mems型f-p滤光器及其制作方法。

技术介绍

1、光谱成像可分析不同物质的光谱“指纹”，从而可提高目标与背景的对比度，具有更好的反伪装、反隐身和反欺骗能力，广泛应用于军事、安防、食品和农业、科学研究、环境、医学、工业生产、资源勘探等领域。光谱探测技术已被广泛应用于众多现代科学领域，如光谱成像、现代天文学、遥感遥测、物质检测与分析等。基于mems技术的可调谐法布里-珀罗(fp)滤波芯片以其滤波性能定制化能力强、结构简单、空间分辨率高等优点，在光谱探测方面展现出显著优势。

2、mems驱动技术是实现mems-fp滤波芯片可调滤波功能的根本技术保障，常用的mems驱动技术主要有静电驱动、压电驱动、热驱动和电磁驱动。静电驱动是mems-fp滤波芯片最早也是最常用的驱动方式，优势在于有较高的工艺兼容性、设计灵活性高、结构简单易制作和响应速度快，缺点是调节范围小、响应非线性以及pull-in现象，导致器件瞬间吸合而失效。压电驱动利用压电材料的逆压电效应，其优点是孔径大，但是缺点是加工难度大，驱动电压大；热驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成MEMS型F-P滤光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种集成MEMS型F-P滤光器，其特征在于，所述光电探测器为硅基光电探测器，或InGaAs光电探测器；所述光电探测器内部设置的光敏区为立方体形或圆柱形。

3.根据权利要求1所述的一种集成MEMS型F-P滤光器，其特征在于，所述集成MEMS型F-P滤光器包括左部支撑块和右部支撑块两个支撑块，分别位于遮光层上表面的左部和右部。

4.根据权利要求3所述的一种集成MEMS型F-P滤光器，其特征在于，所述电极层包括左电极焊盘、中心电极块和右电极焊盘，左电极焊盘和右电极焊盘分别通过悬臂...

【技术特征摘要】

1.一种集成mems型f-p滤光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种集成mems型f-p滤光器，其特征在于，所述光电探测器为硅基光电探测器，或ingaas光电探测器；所述光电探测器内部设置的光敏区为立方体形或圆柱形。

3.根据权利要求1所述的一种集成mems型f-p滤光器，其特征在于，所述集成mems型f-p滤光器包括左部支撑块和右部支撑块两个支撑块，分别位于遮光层上表面的左部和右部。

4.根据权利要求3所述的一种集成mems型f-p滤光器，其特征在于，所述电极层包括左电极焊盘、中心电极块和右电极焊盘，左电极焊盘和右电极焊盘分别通过悬臂梁电桥与中心电极块连接；左电极焊盘和右电极焊盘分别位于左部支撑块和右部支撑块的上表面；中心电极块内开设有贯通的通光孔，上布...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭培，高昆，张晓琴，李贤海，艾叙岚，彭金萍，李睿智，黄建，廖乃镘，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：