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本发明属于光谱成像探测领域，具体涉及一种集成MEMS型F‑P滤光器及其制作方法；集成MEMS型F‑P滤光器包括光电探测器，所述光电探测器内部设有光敏区；遮光层，其位于光电探测器的上表面；且遮光层中心部位内设有下布拉格层，下布拉格层位于光敏区...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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