【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括石墨烯层的光学调制器。光学调制器是分段式的。此外,本专利技术涉及一种使用具有石墨烯层并被调制的光学调制器来调制电磁辐射的方法。
技术介绍
1、光学调制器是通过改变电磁辐射的特性来传输信息的装置。可能要改变的特性例如是电磁辐射的强度或电磁辐射的相位。光学调制器可以根据由施加到光所穿过的光学波导(例如,半导体材料的光学波导)的电流或电压引起的电折射或电吸收的变化来进行操作。
2、电吸收调制器是一种通过对控制光吸收的电场进行调制来调制光强度的光电器件。电吸收调制器用于各种类型的光信号处理。具体地,与通过调制激光二极管本身的驱动功率相比,可以通过电吸收调制器更快地调制半导体激光二极管的输出。电吸收调制器可以用半导体材料制造,使得调制器和激光器能够集成到同一半导体芯片中。
3、在大多数传统的光学调制器中,光的特性相对于特定波长的光而改变,因此,光学调制器的工作带宽很窄,即大约20nm或更小。另外,由于电阻电容(rc)延迟,制造相对高速的光学调制器可能很困难。此外,由于光学波导的每单位长度的调制深度相对
...【技术保护点】
1.一种分段式光学调制器,所述分段式光学调制器包括:
2.根据权利要求1所述的调制器,其中,所述波导包括芯部(10)和包覆层(11),并且波导芯部(10)具有在200nm至250nm之间的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的调制器,其中,所述波导是由硅或氮化硅(SiN)来实现的。
4.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的调制器,其中,实现所述介电层(6)的材料包括以下中的一种或更多种:Al2O3、HF2O3、SiN、SiO2、h-BN、BN。
5.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的调制器,其中,在1550nm工作波
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种分段式光学调制器,所述分段式光学调制器包括:
2.根据权利要求1所述的调制器,其中,所述波导包括芯部(10)和包覆层(11),并且波导芯部(10)具有在200nm至250nm之间的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的调制器,其中,所述波导是由硅或氮化硅(sin)来实现的。
4.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的调制器,其中,实现所述介电层(6)的材料包括以下中的一种或更多种:al2o3、hf2o3、sin、sio2、h-bn、bn。
5.根据前述权利要求中的一项或更多项所述的调制器,其中,在1550nm工作波长处,所述段(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:马尔科·罗马尼奥利,维托·索里亚内洛,阿莱西奥·皮拉斯图,
申请(专利权)人:卡姆格拉菲克责任有限公司,
类型:发明
国别省市:
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