一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构及其制造方法。该碳化硅场效应晶体管结构自下而上依次包括：漏极，N型掺杂的碳化硅衬底，碳化硅N型漂移层，N型层，P阱区；沟槽，贯穿P阱区和N型层；P型埋层，形成在沟槽的底部的外围；高功函数介质层，形成在所述沟槽底部作为源极，与N型漂移层形成肖特基二极管；第一绝缘介质层，形成在沟槽的底部；栅极绝缘介质层，形成在沟槽的侧壁；栅极，完全填充所述沟槽；N<supgt;+</supgt;源区和P<supgt;+</supgt;源区，形成在沟槽之间的P阱区上部，N<supgt;+</supgt;源区形成在沟槽两侧，P<supgt;+</supgt;源区与N<supgt;+</supgt;源区相接；第二绝缘介质层，形成在所述栅极上方并延伸覆盖部分N<supgt;+</supgt;源区；以及金属源极，覆盖所述第二绝缘介质层，N<supgt;+</supgt;源区和P<supgt;+</supgt;源区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，具体涉及一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构及其制造方法。

技术介绍

1、电子电力技术是对电能功率进行变化和控制的技术，所以电力电子器件也被称为功率半导体器件。高性能功率半导体器件可以大大提高能源传输效率和能源利用效率。si材料中，为了改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，主要采用双极型器件绝缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)。但是igbt存在着导通压降(von)和关断损耗(eoff)间的折衷关系。最终开关产生的发热限制了igbt的高频应用。如今性能更优异的碳化硅(sic)在功率器件领域已经有了广泛的研究和应用。

2、作为宽禁带材料，碳化硅的带隙较宽，是si的3倍，并且sic的热导率也是si的3倍多，因此sic功率器件即使在高温下也可以稳定工作；sic的绝缘击穿场强是si的10倍，在同样耐压等级下，sic功率器件中的漂移层能采用更高的杂质浓度和更薄的厚度。因此采用sic可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。而碳化硅场效应晶体管(sicmosfe本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构，其特征在于，

3.一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构，其特征在于，

3.一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的上下分栅碳化硅场效应晶体管结构制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭剑斌，徐航，朱颢，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：