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本发明公开一种上下分栅碳化硅场效应晶体管结构及其制造方法。该碳化硅场效应晶体管结构自下而上依次包括：漏极，N型掺杂的碳化硅衬底，碳化硅N型漂移层，N型层，P阱区；沟槽，贯穿P阱区和N型层；P型埋层，形成在沟槽的底部的外围；高功函数介质层，形...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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