【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体芯片的封装，特别涉及一种适用于多芯粒互连的芯片扇出封装方法及芯片扇出封装结构。
技术介绍
1、随着芯片制程能力提升越来越难，半导体技术进入后摩尔时代，从封装端延续摩尔定律已是业内共识。多芯片、异质芯片集成(chip-let)，逐步成为进一步提高半导体器件性能成的主要发展路径。当前chip-let的实现方案主要有si tsv interposer互连方案、高密度rdl互连方案、嵌入式硅桥互连方案等。chip-let技术一方面为芯片开发提供了更加灵活的开发思路，缩短了产品开发的进度，另一方面也为封装的工艺，可靠性和散热等方面提出了更大的挑战。
2、无论是2.5d还是3d封装，芯片想实现更高的算力，更强的性能，往往都会引起功耗的增加。功耗和性能的平衡已经成为当前高性能计算芯片设计的主要矛盾之一。以3d封装举例，hbm在asic上堆叠提升了信号的传输质量，降低延迟，提升了芯片的整体性能，但是堆叠方案引起严重的积热问题，为了解决散热问题，往往需要降低芯片的功耗，牺牲芯片的部分性能。诸如此类性能向功耗，或者说散热妥协...
【技术保护点】
1.一种芯片扇出封装方法，包括：在芯片载板上涂胶固化形成解键合层；在所述解键合层上制作第一重布线层；其特征在于，还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一芯片为硅桥芯片，所述第二芯片至少为两个，所述金属导电柱位于所述硅桥芯片的两侧，所述第二芯片与所述硅桥芯片以及与所述硅桥芯片相邻的一部分所述金属导电柱形成硅桥互连结构。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述将第二芯片正装贴装在所述第一芯片以及与所述第一芯片相邻的一部分所述金属导电柱的凸点上又包括以下步骤：
4.一种芯片扇出封装结构，包括：重...
【技术特征摘要】
1.一种芯片扇出封装方法，包括：在芯片载板上涂胶固化形成解键合层；在所述解键合层上制作第一重布线层；其特征在于，还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一芯片为硅桥芯片，所述第二芯片至少为两个，所述金属导电柱位于所述硅桥芯片的两侧，所述第二芯片与所述硅桥芯片以及与所述硅桥芯片相邻的一部分所述金属导电柱形成硅桥互连结构。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述将第二芯片正装贴装在所述第一芯片以及与所述第一芯片相邻的一部分所述金属导电柱的凸点上又包括以下步骤：
4.一种芯片扇出封装结构，包括：重布线层、塑封层、多个金属导电柱以及多个锡球，其特征在于，还包括：第一芯片和第二芯片；其中，
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片为硅桥芯片，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝沁汾，叶笑春，
申请(专利权)人：中国科学院计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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