一种利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器制造技术

本发明专利技术涉及一种利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，包括一个电平转换级，所述电平转换级接收低压信号并进行转换处理输出高压信号，所述电平转换级包括隔离耦合对和转换耦合对；所述隔离耦合对接收低压信号，对低压信号进行处理后得到待转换信号，并输出至转换耦合对，所述转换耦合对与隔离耦合对之间连接处存在两个节点，转换耦合对处理待转换信号得到高压信号，在一个节点处输出高压信号的低电平，在另一个节点处输出高压信号的高电平。采用本发明专利技术的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器可以在提高电平翻转速度的情况下实现宽电源域的高压隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器。

技术介绍

1、片上系统soc正朝着更大规模和更低功耗的方向发展，电路系统的模块也变得更加复杂。由于不同模块可能需要不同的电源电压，为了满足特定应用的性能和功耗需求，需要在高电源域和低电源域之间传递信号，因此需要电平转换器将不同的电源域转换为目标电源域，确保不同模块的电路能够在其适应的电源电压下正常工作。

2、在现有的电平转换器中，低压转高压的应用极为常见，请参阅图1，图1为传统的低压转高压的电平转换电路，该电平转换电路包括：第一mos管m1、第二mos管m2、第三mos管m3、第四mos管m4、一号反相器i1和二号反相器i2。其中，第一mos管m1和第二mos管m2为pmos管，第一mos管m1和第二mos管m2为nmos管，第一mos管m1的栅端与第二mos管m2的漏端相连接，第二mos管m2的栅端与第一mos管m1的漏端相连接，从而形成交叉耦合结构。一号反相器i1和二号反相器i2使得输入第三mos管m3和第四mos管m4的信号是反相的。电路中具有两种电源域，其中低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：包括一个电平转换级，所述电平转换级包括隔离耦合对和转换耦合对；所述隔离耦合对接收低压信号，对低压信号进行处理后得到待转换信号，并输出至转换耦合对，所述转换耦合对与隔离耦合对之间连接处存在两个节点，转换耦合对处理待转换信号得到高压信号，在一个节点处输出高压信号的低电平，在另一个节点处输出高压信号的高电平。

2.根据权利要求1所述的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：所述隔离耦合对包括两个结构相同的双栅器件，每个双栅器件由一个PMOS管和一个NMOS管源端串联构成，其中，PMOS管漏端接地，NMOS管漏端与转...

【技术特征摘要】

1.一种利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：包括一个电平转换级，所述电平转换级包括隔离耦合对和转换耦合对；所述隔离耦合对接收低压信号，对低压信号进行处理后得到待转换信号，并输出至转换耦合对，所述转换耦合对与隔离耦合对之间连接处存在两个节点，转换耦合对处理待转换信号得到高压信号，在一个节点处输出高压信号的低电平，在另一个节点处输出高压信号的高电平。

2.根据权利要求1所述的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：所述隔离耦合对包括两个结构相同的双栅器件，每个双栅器件由一个pmos管和一个nmos管源端串联构成，其中，pmos管漏端接地，nmos管漏端与转换耦合对相连接，两个双栅器件交叉耦合。

3.根据权利要求2所述的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：所述两个双栅器件交叉耦合具体为每个双栅器件的pmos管栅端与另一个双栅器件的nmos管栅端相连接。

4.根据权利要求3所述的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：所述双栅器件的pmos管为低压器件，所述双栅器件的nmos管为高压低阈值器件。

5.根据权利要求4所述的利用双栅器件实现高压隔离的电平转换器，其特征在于：所述转换耦合对包括两个pmos管，两个pmos管的源端与高电源域相连接，每个pmos管的栅端与另一个pmos管的漏端相连接，并与隔离耦合对相连接。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文涛，李正平，李杰，韩富强，
申请(专利权)人：国芯科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：