一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法技术

技术编号:41738604 阅读:20 留言:0更新日期:2024-06-19 12:57
本发明专利技术涉及工程技术领域,公开了一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法。该中子源锂靶包括由下至上依次叠层的基板结构,衬底层,阻锂扩散层,锂靶层,以及盖设于锂靶层外周的保护层;阻锂扩散层与保护层对锂靶层的全部外周表面形成包封;阻锂扩散层的材料选自钽、钼、碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。本发明专利技术在现有中子源锂靶结构的基础上,于锂靶层下方设计有一层阻锂扩散层,其与保护层配合后能够有效减少锂靶层厚度损失以及可避免由于质子轰击造成的锂靶层不均匀现象,从而大幅延长中子源锂靶的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及工程,尤其涉及一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法


技术介绍

1、硼中子俘获治疗(boron neutron capture therapy,bnct)的原理是利用发生在肿瘤细胞内的核反应摧毁肿瘤细胞,首先将一种含10b的化合物引入患者体内,由于这种化合物与肿瘤细胞有很强的亲和力,进入体内后,迅速聚集于肿瘤细胞内,而在其它正常组织中分布很少,然后再用中子束照射肿瘤部位,使中子与肿瘤细胞内聚集的10b发生核反应,10b俘获中子后生成一个不稳定的复合核11b,11b再自发分裂成一个动能为1.78mev的α粒子和一个动能为1.01mev的7li反冲原子核(反应截面为6.3%);或者一个动能为1.47mev的α粒子和一个动能为0.84mev的7li反冲原子核并且发射一个能量为0.48mev的光子(反应截面为93.7%),11b通过以下两种反应道自发分裂出α粒子和7li反冲原子核,其反应式如下:

2、10b+nth→11b→7li(1.01mev)+4he(1.78mev) 6.3%

3、10b+nth→11b→7li(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:包括由下至上依次叠层的基板结构,衬底层,阻锂扩散层,锂靶层,以及盖设于所述锂靶层外周的保护层;

2.根据权利要求1所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述阻锂扩散层的材料选自碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述衬底层的材质选自钽、钒、钯、铂、钛、铌或其合金。

4.根据权利要求3所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(10-40):1:(140-160)。

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【技术特征摘要】

1.一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:包括由下至上依次叠层的基板结构,衬底层,阻锂扩散层,锂靶层,以及盖设于所述锂靶层外周的保护层;

2.根据权利要求1所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述阻锂扩散层的材料选自碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述衬底层的材质选自钽、钒、钯、铂、钛、铌或其合金。

4.根据权利要求3所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(10-40):1:(140-160)。

5.根据权利要求4所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶,其特征在于:

【专利技术属性】
技术研发人员:王盛李竞伦胡耀程
申请(专利权)人:华硼中子科技杭州有限公司
类型:发明
国别省市:

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