一种晶圆承载台及晶圆加工系统技术方案

本技术涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种晶圆承载台及晶圆加工系统。一种晶圆承载台，包括：底板；吸附板，与底板相对设置，底板和吸附板间形成有容纳空间，吸附板上设有吸附孔，吸附板上适于放置晶圆；滑轨座组件，设于所述容纳空间内，包括至少一个滑轨座；吸附架组件，包括安装架、以及设于安装架上的吸附嘴，安装架与滑轨座滑动连接，吸附嘴与吸附孔适配；动力件，与安装架连接，动力件适于驱动安装架沿滑轨座的高度方向运动，以带动吸附嘴进入吸附孔的预设位置或脱离吸附孔。本技术解决晶圆承载平台的吸附嘴位置固定，因晶圆厚度改变时，需要调整吸附板高度，存在调整过程复杂、难以保证精度的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备，具体涉及一种晶圆承载台及晶圆加工系统。

技术介绍

1、半导体晶圆物料在加工操作中涉及多道晶圆物料的检测工序，例如对晶圆表面薄膜厚度的检测。

2、在bcd工艺中(bipolar cmos dmos一种单片集成工艺)，需要使用外延工艺。硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层。基于外延生长的原理，晶圆不同区域的外延厚度存在一定的差异。由于晶圆上膜层的均匀性关系到器件性能的稳定性，因此，需要对晶圆上膜层的厚度进行监控。在对晶圆薄膜层厚度检测的操作中包括稳固并且选择性地将晶圆放置在待检测的承载平台上。

3、现有的承载平台，吸附板的吸附孔内设置的吸附嘴的高度通常较为固定，而晶圆的厚度并不相同，为了保证检测的准确度，不同厚度的晶圆需要调整其与检测源之间的相对位置，以保证晶圆与检测源之间的距离保持不变，由于晶圆厚度差距极小，存在调整过程复杂、精度难以保证的问题。

技术实现思路

1、因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的晶圆承载平台的吸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆承载台，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆承载台，其特征在于，所述滑轨座组件(2)包括第一滑轨座(201)和第二滑轨座(202)，所述第一滑轨座(201)与第二滑轨座(202)相对、且间隔设置；所述第一滑轨座(201)包括第一滑轨(208)，所述第二滑轨座(202)包括第二滑轨，所述安装架(301)分别设有第一滑块(302)和第二滑块(303)，所述第一滑块(302)与第一滑轨(208)适配，所述第二滑块(303)与第二滑轨适配。

3.根据权利要求2所述的晶圆承载台，其特征在于，所述第一滑轨座(201)上设有安装块(207)，所述安装块(...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆承载台，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆承载台，其特征在于，所述滑轨座组件(2)包括第一滑轨座(201)和第二滑轨座(202)，所述第一滑轨座(201)与第二滑轨座(202)相对、且间隔设置；所述第一滑轨座(201)包括第一滑轨(208)，所述第二滑轨座(202)包括第二滑轨，所述安装架(301)分别设有第一滑块(302)和第二滑块(303)，所述第一滑块(302)与第一滑轨(208)适配，所述第二滑块(303)与第二滑轨适配。

3.根据权利要求2所述的晶圆承载台，其特征在于，所述第一滑轨座(201)上设有安装块(207)，所述安装块(207)内穿设有螺杆(203)，所述动力件(5)设于底板(1)上，所述动力件(5)与螺杆(203)的转动端通过皮带(7)连接，所述安装架(301)设有螺纹滑块(308)，所述螺纹滑块(308)与螺杆(203)适配。

4.根据权利要求2所述的晶圆承载台，其特征在于，所述第一滑轨座(201)上朝向安装架(301)设有光电感应器(205)，所述安装架(301)上设有光电发射器，所述光电感应器(205)与光电发射器对应设置。

5.根据权利要求1－4任一项所述的晶圆承载台，其特征在于，所述吸附嘴包括吸附内嘴(307)和吸附外嘴(306)，所述安装架(301)设有伸出板(304)，所述吸附内嘴(307)通过抽气管(305)与安装架(301)连接，所述吸附外嘴(306)通过抽气管(305...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚昱，朱飞，余君山，
申请(专利权)人：华芯嘉兴智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：