制备铁电材料的薄层的方法技术

本发明专利技术涉及一种制备铁电材料的薄层(3)的方法，该方法包括提供薄层(3)的步骤，该薄层(3)具有露出的第一自由面(8)。该方法还包括通过离子蚀刻进行减薄的步骤，该步骤由蚀刻参数限定。根据本发明专利技术，蚀刻参数被选择为使得薄层(3)的自由面(8)在减薄步骤结束时具有不超过阈值的粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

专利技术主题本专利技术旨在确定对单晶铁电材料的薄膜的自由面应用离子蚀刻以使其减薄的条件。本专利技术的目的是提出一种制备铁电材料的薄膜的方法，其至少部分地解决了上述缺点。更具体地，本专利技术的目的是提出一种对通过在脆化平面处从供体基板分离而获得的单晶铁电材料的薄膜进行离子蚀刻的方法，该方法保持或恢复薄膜的单畴性质。本专利技术的另一目的是提出一种对通过在供体基板的脆化平面处分离而获得的薄膜进行减薄的方法，该减薄方法使得可以形成单晶铁电材料的薄膜，该薄膜是单畴的并且具有比可以通过实施化学机械抛光的减薄工艺而获得的厚度更均匀的厚度。

技术介绍

1、在前言中，注意到铁电材料是在自然状态下具有电极化的材料，可以通过施加外部电场来反转极化。“铁电畴”是指单片材料中的如下每个区域：在该区域中，极化是均匀的(所有偶极矩在给定方向上彼此平行地排列)。因此，在铁电材料由极化均匀的单个区域形成的情况下，该材料可以被表征为“单畴”，或者在铁电材料包括具有可以不同的极化的多个区域的情况下，该材料可以被表征为“多畴”。

2、从现有技术中已知用于形成铁电材料的薄膜的各种工艺。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备单晶铁电材料的薄膜(3)的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供步骤包括：通过在所述供体基板(1)中注入氢离子来形成所述脆化平面(2)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，减薄步骤之后是所述自由面(8)的化学机械触摸抛光。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，提供步骤包括将所述薄膜(3)的所述自由面(8)露出到特定气体气氛的热处理步骤。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述热处理在介于300℃至构成所述薄膜(3)的所述铁电材料的居里温度之间的温度下进行长达介于30...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种制备单晶铁电材料的薄膜(3)的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供步骤包括：通过在所述供体基板(1)中注入氢离子来形成所述脆化平面(2)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，减薄步骤之后是所述自由面(8)的化学机械触摸抛光。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，提供步骤包括将所述薄膜(3)的所述自由面(8)露出到特定气体气氛的热处理步骤。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述热处理在介于300℃至构成所述薄膜(3)的所述铁电材料的居里温度之间的温度下进行长达介于30分钟至10小时之间的时段。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述热处理步骤是在氧化或中性气体气氛下进行的。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，在所述热处理步骤与减薄步骤之间包括以下步骤：平滑所述自由面(8)，以将其表面粗糙度降低到低于粗糙度阈值的值。

8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·贝尔哈切米，R·考尔米隆，I·于耶，O·科农丘克，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：