A method of cleaning mask, which comprises the following steps: a mask placed in the oxygen atmosphere; stimulate oxygen to form ozone, ozone and shading mask layer heating reaction; ultrapure water; the mask in the ultra pure water cleaning. The invention has the advantages that, after the oxygen oxidation treatment mask, forming a passivation layer on the surface of the light shielding layer material, can guarantee the shading layer mask in the cleaning process will not be affected by ultra pure water.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及。
技术介绍
掩模版是光刻工艺中不可缺少的工具。在深亚微米半导体工艺中，为了提高光刻的分辨率，对掩模版的遮光层有非常严格的要求，掩模版遮光部分的厚度应当恰好满足将曝光光源的相位反转180Q。因此要精确控制掩模版遮光层的厚度， 一旦厚度发生变化，遮光层对相位的控制也相应的发生变化。在应用中，通常允许相位在180乜3a之间变化，如果超出这一范围，掩模版即成为废品，这是掩模版制造车间目前常用的标准。在制造掩模版的过程中的不同阶段，需要多次采用超纯水对掩模版表面的遮光层进行处理，目的在于去除掩模版表面的化学残留物，污染物，各种粒子等等，对超纯水进行加热可以进一步除去表面的硫酸根离子。超纯水是一种半导体工艺中常用的耗材，是经过离子过滤、紫外杀菌、颗粒过滤等步骤处理后的具有超高纯度的水，电阻率大于18MAcm。在清洗时，为了达到更好的清洗效果，通常对超纯水进行加热。采用超纯水清洗掩模版的负面影响在于超纯水在加热的条件下会同遮光层发生化学反应，消耗掉一部分的遮光层，导致遮光层的厚度变薄，影响到掩模版成品率。
技术实现思路
本专利技术所要解决...
【技术保护点】
一种清洗掩模版的方法，其特征在于，包括如下步骤： 将掩模版置于含氧气氛中； 激发气氛中的氧气形成臭氧，以使臭氧与掩模版的遮光层发生反应； 加热超纯水； 将掩模版置于超纯水中清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘戈炜，赵蓓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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