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一种清洗掩模版的方法，包括如下步骤：将掩模版置于含氧气氛中；激发气氛中的氧气形成臭氧，以使臭氧与掩模版的遮光层发生反应；加热超纯水；将掩模版置于超纯水中清洗。本发明的优点在于，经过在含氧气氛中氧化处理后的掩模版，在遮光层的表面形成了一层钝化...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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