一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体及其制备方法技术

本发明专利技术属于大功率半导体器件的封装绝缘材料技术领域，公开一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体及其制备方法；所述制备方法为：于保护气氛围中，于甲苯中，使八甲基环四硅氧烷和八苯基环四硅氧烷为原料在四甲基氢氧化铵催化下聚合获得甲基苯基聚硅氧烷；将二甲基端乙烯基硅油与甲基苯基聚硅氧烷共聚的产物与抑制剂、甲基苯基侧链含氢硅油和甲基苯基端含氢硅油混匀后在铂金催化剂的催化下交联形成大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体。本发明专利技术制备的苯基硅弹性体在直流电场下击穿电压可达66kv/mm，最高耐压可达71kv/mm，耐温可达250℃，可长期工作在200℃环境中，可以满足新型大功率半导体器件的封装要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及大功率半导体器件的封装绝缘材料，尤其涉及一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体及其制备方法。

技术介绍

1、高压大功率半导体器件是现代工业的重要核心部件，在新型电力系统、电气化交通等领域发挥重要作用。

2、现有技术考虑到二甲基有机硅弹性体材料具有良好的电气绝缘性能，且其固化后具有弹性与粘性，以及良好的阻燃性、防化学腐蚀性，可以为器件内部应力均衡和粘结提供支撑，故二甲基有机硅弹性体材料成为半导体器件的主要封装绝缘材料。

3、然而，随着宽禁带半导体碳化硅、氮化镓等材料技术的进步，功率半导体器件向更高电压等级发展，且工作温度更高。基于碳化硅材料研制的光导开关开通上升时间可达2.05ns、脉冲电压74.5kv。此外，新型大功率半导体器件如碳化硅半导体器件在充分利用的情况下可以达到300℃的工作温度，高温环境将加剧器件封装的老化。现有的二甲基有机硅弹性体难以满足新型大功率半导体器件对封装绝缘材料提出的耐高压、耐高温的需要，所以，有必要需求新型的大功率半导体器件的封装绝缘材料以满足实际使用需求。

4、为此，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的反应温度为80～100℃。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述共聚反应时的反应温度为100～120℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述甲苯、八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷的质量比为9～11:9～11:0.8～1.1；

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二甲基端乙烯基硅油与所述八甲基环四硅氧烷的质量比为2～4:10。

6.如权利要求1所述的制备...

【技术特征摘要】

1.一种大功率半导体器件封装用苯基硅弹性体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的反应温度为80～100℃。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述共聚反应时的反应温度为100～120℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述甲苯、八甲基环四硅氧烷与八苯基环四硅氧烷的质量比为9～11:9～11:0.8～1.1；

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二甲基端乙烯基硅油与所述八甲基环四硅氧烷的质量比为2～4:10。

6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何东欣，李玉超，李清泉，刘洪顺，王浩晨，李庆发，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：